| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 46081 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46082 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46083 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 46084 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 46085 | 2N4114 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 46086 | 2N4117 | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46087 | 2N4117 | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46088 | 2N4117 | Ultra-alta impedância de entrada de canal N-JFET | Linear Systems |
| 46089 | 2N4117A | Escapamento Ultra Baixo, N-Canaleta JFETs | Vishay |
| 46090 | 2N4117A | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46091 | 2N4117A | Amplificador Ultra Elevado Da N-Canaleta JFET Do Impedance Da Entrada | Linear Systems |
| 46092 | 2N4117A | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46093 | 2N4118 | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46094 | 2N4118 | IMPEDANCE ULTRA-HIGH N-CHANNEL JFET DA ENTRADA | Linear Systems |
| 46095 | 2N4118 | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46096 | 2N4118A | Escapamento Ultra Baixo, N-Canaleta JFETs | Vishay |
| 46097 | 2N4118A | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46098 | 2N4118A | Amplificador Ultra Elevado Da N-Canaleta JFET Do Impedance Da Entrada | Linear Systems |
| 46099 | 2N4118A | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46100 | 2N4119 | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46101 | 2N4119 | IMPEDANCE ULTRA-HIGH N-CHANNEL JFET DA ENTRADA | Linear Systems |
| 46102 | 2N4119 | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46103 | 2N4119A | Escapamento Ultra Baixo, N-Canaleta JFETs | Vishay |
| 46104 | 2N4119A | Amplificador Da Finalidade Geral Da N-Canaleta JFET | Calogic |
| 46105 | 2N4119A | Amplificador Ultra Elevado Da N-Canaleta JFET Do Impedance Da Entrada | Linear Systems |
| 46106 | 2N4119A | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46107 | 2N4123 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46108 | 2N4123 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 46109 | 2N4123 | Transistor 625mW Da Finalidade Geral Do Silicone de NPN | Micro Commercial Components |
| 46110 | 2N4123 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46111 | 2N4123 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 46112 | 2N4123 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 46113 | 2N4123 | Planar epitaxial passivadas NPN transistor de silício. 30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46114 | 2N4123 | Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
| 46115 | 2N4123 | Transistor de uso geral. Tensão coletor-emissor: 30V = VCEO. Tensão colector-base: 40V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 46116 | 2N4123-D | Silicone Dos Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 46117 | 2N4123BU | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46118 | 2N4123RLRA | Geral Transistor Finalidade - NPN | ON Semiconductor |
| 46119 | 2N4123RLRM | Geral Transistor Finalidade - NPN | ON Semiconductor |
| 46120 | 2N4123TA | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
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