| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48041 | 2N5881 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48042 | 2N5882 | PODER TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48043 | 2N5882 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48044 | 2N5882 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48045 | 2N5882-D | Transistor Do Elevado-Poder Do Silicone NPN | ON Semiconductor |
| 48046 | 2N5883 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48047 | 2N5883 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48048 | 2N5883 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48049 | 2N5883 | Poder 25A 60V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48050 | 2N5883-D | Transistor Complementares Do Elevado-Poder Do Silicone | ON Semiconductor |
| 48051 | 2N5884 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48052 | 2N5884 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48053 | 2N5884 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48054 | 2N5884 | Poder 25A 80V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48055 | 2N5884 | TRANSISTOR DE PODER ELEVADO COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 48056 | 2N5884 | hfe min 20 Transistor polaridade PNP Ic corrente contínua max 25 A tensão VCEO 80 V Ic atual (HFE) 10 A Potência Ptot 200 W de potência de temperatura de 25? C Transistores de número 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 48057 | 2N5885 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48058 | 2N5885 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48059 | 2N5885 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48060 | 2N5885 | Poder 25A 60V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48061 | 2N5885 | De alta atual, de alta potência, transistor de potência de alta velocidade. 60V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48062 | 2N5886 | TRANSISTOR DE PODER ELEVADO COMPLEMENTAR DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 48063 | 2N5886 | TRANSISTOR DE PODER ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 48064 | 2N5886 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48065 | 2N5886 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48066 | 2N5886 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48067 | 2N5886 | Poder 25A 80V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48068 | 2N5886 | De alta atual, de alta potência, transistor de potência de alta velocidade. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48069 | 2N5902 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48070 | 2N5903 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48071 | 2N5904 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48072 | 2N5905 | O Escapamento Baixo, Tração Baixa, Monolítica Dual, A N-Canaleta JFET | Linear Systems |
| 48073 | 2N5905 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48074 | 2N5906 | O Escapamento Baixo, Tração Baixa, Monolítica Dual, A N-Canaleta JFET | Linear Systems |
| 48075 | 2N5906 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48076 | 2N5907 | O Escapamento Baixo, Tração Baixa, Monolítica Dual, A N-Canaleta JFET | Linear Systems |
| 48077 | 2N5907 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48078 | 2N5908 | O Escapamento Baixo, Tração Baixa, Monolítica Dual, A N-Canaleta JFET | Linear Systems |
| 48079 | 2N5908 | AMPLIFICADOR DUPLO MONOLÍTICO Da FINALIDADE GERAL Da CANALETA JFET De N | Intersil |
| 48080 | 2N5909 | O Escapamento Baixo, Tração Baixa, Monolítica Dual, A N-Canaleta JFET | Linear Systems |
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