| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 47841 | 2N5657 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47842 | 2N5657 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 47843 | 2N5657 | Ç$a 350V NPN Do Poder | ON Semiconductor |
| 47844 | 2N5659 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 47845 | 2N5659 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 47846 | 2N5660 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47847 | 2N5661 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47848 | 2N5662 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47849 | 2N5663 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47850 | 2N5663 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 47851 | 2N5664 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47852 | 2N5664 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 9221 De 2C5664 | Semicoa Semiconductor |
| 47853 | 2N5664SMD | TRANSISTOR BIPOLAR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS De REL | SemeLAB |
| 47854 | 2N5665 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47855 | 2N5665 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 47856 | 2N5666 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47857 | 2N5666 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 9221 De 2C5664 | Semicoa Semiconductor |
| 47858 | 2N5666S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47859 | 2N5667 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47860 | 2N5667S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47861 | 2N5671 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47862 | 2N5671 | PODER TRANSISTORS(30A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47863 | 2N5671 | De alta atual, de alta potência, de alta velocidade transistor de silício NPN planar. | General Electric Solid State |
| 47864 | 2N5672 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47865 | 2N5672 | PODER TRANSISTORS(30A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47866 | 2N5672 | De alta atual, de alta potência, de alta velocidade transistor de silício NPN planar. | General Electric Solid State |
| 47867 | 2N5675 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 47868 | 2N5675 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 47869 | 2N5679 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 47870 | 2N5679 | TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO DO SILICONE DE PNP/NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 47871 | 2N5679 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 47872 | 2N5679 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47873 | 2N5679 | 10.000W High Voltage PNP metal pode transistor. 100V VCEO, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47874 | 2N5679 | 1.0 Amp 10 watts NPN-PNP poder complementar. | Fairchild Semiconductor |
| 47875 | 2N5680 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 47876 | 2N5680 | TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO DO SILICONE DE PNP/NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 47877 | 2N5680 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 47878 | 2N5680 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47879 | 2N5680 | 10.000W High Voltage PNP metal pode transistor. 120V VCEO, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47880 | 2N5680 | 1.0 Amp 10 watts NPN-PNP poder complementar. | Fairchild Semiconductor |
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