| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48361 | 2N6111 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 48362 | 2N6111 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48363 | 2N6111 | TRANSISTOR DO SWITCHING DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48364 | 2N6111 | PODER TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48365 | 2N6111 | EPITAXIAL-BASE, SILICONE N-P-N E TRANSISTOR DE P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48366 | 2N6111 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48367 | 2N6111 | Poder 7A 30V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48368 | 2N6111 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 30V VCEO, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48369 | 2N6111 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -40V. | General Electric Solid State |
| 48370 | 2N6116 | Silicon transistor unijuction programável. | Motorola |
| 48371 | 2N6117 | Silicon transistor unijuction programável. | Motorola |
| 48372 | 2N6118 | Silicon transistor unijuction programável. | Motorola |
| 48373 | 2N6121 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48374 | 2N6121 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48375 | 2N6121 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48376 | 2N6121 | 40.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 4.000A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48377 | 2N6121 | Epitaxial-base, silício NPN VERSAWATT transistor. 45V. | General Electric Solid State |
| 48378 | 2N6122 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48379 | 2N6122 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48380 | 2N6122 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48381 | 2N6122 | 40.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48382 | 2N6122 | Epitaxial-base, silício NPN VERSAWATT transistor. 60V. | General Electric Solid State |
| 48383 | 2N6123 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48384 | 2N6123 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48385 | 2N6123 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48386 | 2N6123 | 40.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20-80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48387 | 2N6123 | Epitaxial-base, silício NPN VERSAWATT transistor. 80V. | General Electric Solid State |
| 48388 | 2N6124 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48389 | 2N6124 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48390 | 2N6124 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48391 | 2N6124 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48392 | 2N6124 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -45V. | General Electric Solid State |
| 48393 | 2N6125 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48394 | 2N6125 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48395 | 2N6125 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48396 | 2N6125 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48397 | 2N6125 | Epitaxial-base, silício PNP VERSAWATT transistor. -60V. | General Electric Solid State |
| 48398 | 2N6126 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | MOSPEC Semiconductor |
| 48399 | 2N6126 | Poder médio linear e aplicações do switching | Boca Semiconductor Corporation |
| 48400 | 2N6126 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
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