| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48441 | 2N6211 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48442 | 2N6211 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48443 | 2N6212 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48444 | 2N6212 | PODER TRANSISTORS(2A, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48445 | 2N6212 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO DE MEDIUM-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48446 | 2N6212 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48447 | 2N6212 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48448 | 2N6213 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48449 | 2N6213 | PODER TRANSISTORS(2A, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48450 | 2N6213 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO DE MEDIUM-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48451 | 2N6213 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48452 | 2N6213 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48453 | 2N6214 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48454 | 2N6226 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48455 | 2N6227 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48456 | 2N6227 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48457 | 2N6229 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48458 | 2N6230 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48459 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 48460 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 48461 | 2N6232 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48462 | 2N6233 | 4 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER PNP DO AMPÈRE | Motorola |
| 48463 | 2N6234 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66. | SemeLAB |
| 48464 | 2N6235 | 4 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER PNP DO AMPÈRE | Motorola |
| 48465 | 2N6235 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 48466 | 2N6240 | Tiristores de obstrução reversos do triode dos retificadores controlados do silicone | Motorola |
| 48467 | 2N6240 | Tiristores de obstrução reversos do triode dos retificadores controlados do silicone | Motorola |
| 48468 | 2N6240-D | Tiristores De Obstrução Reversos Do Triode | ON Semiconductor |
| 48469 | 2N6246 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48470 | 2N6246 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48471 | 2N6246 | Epitaxial-base, PNP silício de alta potência transistor. -70V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48472 | 2N6247 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48473 | 2N6247 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48474 | 2N6247 | Epitaxial-base, PNP silício de alta potência transistor. -90V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48475 | 2N6248 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48476 | 2N6248 | Epitaxial-base, PNP silício de alta potência transistor. -110V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48477 | 2N6249 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48478 | 2N6249 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 48479 | 2N6249 | 300V, 30A, 175W de silício NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
| 48480 | 2N6250 | Transistor de NPN | Microsemi |
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