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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
492812N6759MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492822N6759N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A.General Electric Solid State
492832N6760400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AAInternational Rectifier
492842N6760MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492852N6760N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
492862N6761MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492872N6761N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
492882N6762500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AAInternational Rectifier
492892N6762MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492902N6762N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A.General Electric Solid State
492912N6763MOSFETs/ 38A/ 60V/100V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492922N6764100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AEInternational Rectifier
492932N6764MOSFETs/ 38A/ 60V/100V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492942N6764N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 38A.General Electric Solid State
492952N6764N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistorOmnirel
492962N6765MOSFETs/ 30A/ 150V/200V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492972N6766200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AEInternational Rectifier
492982N6766MOSFETs/ 30A/ 150V/200V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor



492992N6766N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
493002N6766N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistorOmnirel
493012N6767MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
493022N6768400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AEInternational Rectifier
493032N6768MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
493042N6768N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistorOmnirel
493052N6769MOSFETs/ 12A/ 450V/500V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
493062N6770500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AAInternational Rectifier
493072N6770MOSFETs/ 12A/ 450V/500V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
493082N6770N-channel modo de aumento de potência MOSFET transistorOmnirel
493092N678160 V, 06 ohm, realce-mode N-canal D-MOS FET de potênciaTopaz Semiconductor
493102N6782100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AFInternational Rectifier
493112N6782MOSFET DO PODER DE N-CHANNELSemeLAB
493122N6782N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 3.5 A, 100V.General Electric Solid State
493132N6782100 V, 06 ohm, N-channel-mode aprimoramento D-MOS FET de potênciaTopaz Semiconductor
493142N6782LCC4MOSFET DO PODER DE N-CHANNELSemeLAB
493152N6784200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AFInternational Rectifier
493162N6786400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AFInternational Rectifier
493172N6786Mosfet da N-Canaleta em um pacote hermetically selado do metal TO39SemeLAB
493182N6788100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AFInternational Rectifier
493192N6788N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 6.0 A, 100V.General Electric Solid State
493202N6790200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AFInternational Rectifier
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