| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 49121 | 2N6660 | A N-Canaleta 60-V (D-S) escolhe e quad mOSFETs | Vishay |
| 49122 | 2N6661 | TRANSISTOR DO MOS DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 49123 | 2N6661 | TRANSISTOR DO FET DO SWITCHING DE TMOS | Motorola |
| 49124 | 2N6661 | FETs Verticais Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
| 49125 | 2N6661 | MOSFETS 80-V e 90-V da N-Canaleta (D-S) | Vishay |
| 49126 | 2N6666 | PODER TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49127 | 2N6666 | TRANSISTOR PLÁSTICOS DO SILICONE DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49128 | 2N6666 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49129 | 2N6666 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -40 V. 65 W. Ganho de 1000 a 3 A. | General Electric Solid State |
| 49130 | 2N6667 | PODER TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49131 | 2N6667 | TRANSISTOR PLÁSTICOS DO SILICONE DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49132 | 2N6667 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49133 | 2N6667 | Poder 8A 60V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49134 | 2N6667 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -60 V. 65 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49135 | 2N6667-D | Transistor De Poder Do Silicone De Darlington | ON Semiconductor |
| 49136 | 2N6668 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 49137 | 2N6668 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49138 | 2N6668 | TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON DO SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49139 | 2N6668 | PODER TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49140 | 2N6668 | TRANSISTOR PLÁSTICOS DO SILICONE DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49141 | 2N6668 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49142 | 2N6668 | Poder 8A 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49143 | 2N6668 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -80 V. 65 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49144 | 2N6671 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49145 | 2N6671 | 5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49146 | 2N6672 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49147 | 2N6672 | 5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49148 | 2N6673 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49149 | 2N6673 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49150 | 2N6673 | 5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49151 | 2N6674 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49152 | 2N6674 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER DE NPN | Microsemi |
| 49153 | 2N6675 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49154 | 2N6675 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER DE NPN | Microsemi |
| 49155 | 2N6676 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 49156 | 2N6676 | PODER TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49157 | 2N6676 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49158 | 2N6676 | 15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49159 | 2N6676 | NPN transistor de potência de silício. 15 A, 300 V, 175 W. | Motorola |
| 49160 | 2N6677 | PODER TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
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