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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
491612N6677TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNBoca Semiconductor Corporation
491622N667715 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
491632N6677NPN transistor de potência de silício. 15 A, 350 V, 175 W.Motorola
491642N6678Transistor de NPNMicrosemi
491652N6678PODER TRANSISTORS(15A, 175w)MOSPEC Semiconductor
491662N6678TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNBoca Semiconductor Corporation
491672N667815 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
491682N6678NPN transistor de potência de silício. 15 A, 400 V, 175 W.Motorola
491692N6686Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
491702N668625 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.General Electric Solid State
491712N6687Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
491722N6687Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
491732N668725 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.General Electric Solid State
491742N668825 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.General Electric Solid State
491752N6689Transistor de NPNMicrosemi
491762N6690TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER DE NPNMicrosemi
491772N6691Transistor de NPNMicrosemi
491782N6693Transistor de NPNMicrosemi
491792N6702De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State



491802N6703De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State
491812N6704De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.General Electric Solid State
491822N67050.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491832N67070.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491842N67080.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491852N67090.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491862N67100.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491872N6714TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPNZetex Semiconductors
491882N6714TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNBoca Semiconductor Corporation
491892N6714Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
491902N67140.750W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 30V VCEO, 1.000A Ic, 55 - hFEContinental Device India Limited
491912N6714NPN SILICONE PLANAR potência média TRANSISTORSDiodes
491922N6715TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPNZetex Semiconductors
491932N6715TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNBoca Semiconductor Corporation
491942N6715Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
491952N67150.750W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 40V VCEO, 1.500A Ic, 55 - hFEContinental Device India Limited
491962N6715NPN SILICONE PLANAR potência média TRANSISTORSDiodes
491972N6716TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPNZetex Semiconductors
491982N6716TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNBoca Semiconductor Corporation
491992N6716Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492002N67160.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.500A Ic, 80 - hFEContinental Device India Limited
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