| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568161 | IRF614B | Mosfet Da N-Canaleta 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568162 | IRF614B_FP001 | 250V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF614 & de IRF614A | Fairchild Semiconductor |
| 568163 | IRF614PBF | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568164 | IRF614S | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568165 | IRF6150 | -20V dual MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568166 | IRF6156 | 20V dual MOSFET N-n-Bidirectional do poder de HEXFET em um 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568168 | IRF620 | PRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 568169 | IRF620 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568170 | IRF620 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568171 | IRF620 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 568172 | IRF620 | 5.0A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.800 Ohm | Intersil |
| 568173 | IRF620 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568174 | IRF620B | Mosfet Da N-Canaleta 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568175 | IRF620B_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF620 & de IRF620A | Fairchild Semiconductor |
| 568176 | IRF620FI | PRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 568177 | IRF620FI | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 568178 | IRF620FI | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568179 | IRF620PBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568180 | IRF620S | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568181 | IRF620STRL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568182 | IRF620STRR | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568183 | IRF621 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568184 | IRF621 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568185 | IRF6215 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568186 | IRF6215L | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568187 | IRF6215PBF | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568188 | IRF6215S | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568189 | IRF6215STRL | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568190 | IRF6215STRR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568191 | IRF6216 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568192 | IRF6216TR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568193 | IRF6217 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568194 | IRF6217TR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568195 | IRF6218 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568196 | IRF6218L | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568197 | IRF6218S | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2Pak | International Rectifier |
| 568198 | IRF622 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568199 | IRF622 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568200 | IRF623 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| | | |
