| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568201 | IRF623 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568202 | IRF624 | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568203 | IRF624 | Mosfet Da N-Canaleta 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568204 | IRF624B | Mosfet Da N-Canaleta 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568205 | IRF624B_FP001 | 250V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF624 & de IRF624A | Fairchild Semiconductor |
| 568206 | IRF624S | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568207 | IRF624STRL | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568208 | IRF624STRR | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568209 | IRF630 | transistor de TrenchMOS(tm) da N-canaleta | Philips |
| 568210 | IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, MOSFETs Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568211 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
| 568212 | IRF630 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568213 | IRF630 | N - CANALETA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet Da FOLHA DE PROVA Do ENGRANZAMENTO De TO-220/FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568214 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE TO-220/TO220-FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568215 | IRF630 | 9A/ 200V/ MOSFETs Do Poder Da N-Canaleta De 0.400 Ohm | Intersil |
| 568216 | IRF630 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| 568217 | IRF630A | Mosfet Avançado Do Poder | Fairchild Semiconductor |
| 568218 | IRF630B | Mosfet Da N-Canaleta 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568219 | IRF630BTSTU_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF630 & de IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568220 | IRF630B_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF630 & de IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568221 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
| 568222 | IRF630FP | N - CANALETA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet Da FOLHA DE PROVA Do ENGRANZAMENTO De TO-220/FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568223 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE TO-220/TO220-FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568224 | IRF630M | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 9A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 200V 0.35 | ST Microelectronics |
| 568225 | IRF630M | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 9A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 200V 0.35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568226 | IRF630MFP | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 9A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 200V 0.35 | ST Microelectronics |
| 568227 | IRF630MFP | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 9A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 200V 0.35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568228 | IRF630N | MOSFETs 200V Do Poder Da N-Canaleta, 9.3A, 0.30Ohm | Fairchild Semiconductor |
| 568229 | IRF630N | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568230 | IRF630NL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568231 | IRF630NLPBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568232 | IRF630NPBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568233 | IRF630NS | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568234 | IRF630NSPBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568235 | IRF630NSTRL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568236 | IRF630NSTRR | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568237 | IRF630S | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568238 | IRF630S | N - CANALETA 200V - Mosfet da FOLHA DE PROVA do ENGRANZAMENTO De 0.35 Ohm -9A-D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 568239 | IRF630S | transistor de TrenchMOS da N-canaleta | Philips |
| 568240 | IRF630S | N - CANALETA 200V - 0.35ohm - 9A - Mosfet Da FOLHA DE PROVA Do ENGRANZAMENTO De D2PAK ] | ST Microelectronics |
| | | |
