| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568201 | IRF623 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568202 | IRF624 | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568203 | IRF624 | N-Führung 250V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568204 | IRF624B | N-Führung 250V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568205 | IRF624B_FP001 | 250V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF624 u. von IRF624A | Fairchild Semiconductor |
| 568206 | IRF624S | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568207 | IRF624STRL | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568208 | IRF624STRR | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568209 | IRF630 | N-Führung TrenchMOS(tm) Transistor | Philips |
| 568210 | IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Führung Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 568211 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
| 568212 | IRF630 | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568213 | IRF630 | N - FÜHRUNG 200V - 0.35W - 9A - TO-220/FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568214 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568215 | IRF630 | 9A/ 200V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 568216 | IRF630 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 568217 | IRF630A | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568218 | IRF630B | N-Führung 200V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568219 | IRF630BTSTU_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF630 u. von IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568220 | IRF630B_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF630 u. von IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568221 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
| 568222 | IRF630FP | N - FÜHRUNG 200V - 0.35W - 9A - TO-220/FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568223 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568224 | IRF630M | N-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 568225 | IRF630M | N-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568226 | IRF630MFP | N-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 568227 | IRF630MFP | N-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568228 | IRF630N | N-Führung Energie MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30-Ohm | Fairchild Semiconductor |
| 568229 | IRF630N | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568230 | IRF630NL | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568231 | IRF630NLPBF | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568232 | IRF630NPBF | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568233 | IRF630NS | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568234 | IRF630NSPBF | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568235 | IRF630NSTRL | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568236 | IRF630NSTRR | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568237 | IRF630S | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568238 | IRF630S | N - FÜHRUNG 200V - 0.35 Ohm -9A-D 2 PAK INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568239 | IRF630S | N-Führung TrenchMOS Transistor | Philips |
| 568240 | IRF630S | N - FÜHRUNG 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT] Mosfet | ST Microelectronics |
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