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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
568321IRF644STRR250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568322IRF64614A, 275V, 0.280 Ohm, N-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
568323IRF64614A/ 275V/ 0.280 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
568324IRF650N-Führung 200V MosfetFairchild Semiconductor
568325IRF650BN-Führung 200V MosfetFairchild Semiconductor
568326IRF650B_FP001200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF650AFairchild Semiconductor
568327IRF654N-Führung 250V MosfetFairchild Semiconductor
568328IRF654BN-Führung 250V MosfetFairchild Semiconductor
568329IRF654B_FP001250V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF654AFairchild Semiconductor
568330IRF660120V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568331IRF660220V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568332IRF6602TR1HEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568333IRF6602TR1HEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568334IRF660330V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568335IRF660430V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568336IRF660730V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568337IRF6607TR1Energie MosfetInternational Rectifier
568338IRF660830V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568339IRF660920V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier



568340IRF6609TR120V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568341IRF6610HEXFET Energie MOSFET Silikon-Technologie mit dem vorgerückten DirectFETTMInternational Rectifier
568342IRF6610HEXFET Energie MOSFET Silikon-Technologie mit dem vorgerückten DirectFETTMInternational Rectifier
568343IRF6611DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568344IRF6611DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568345IRF661230V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568346IRF6612TR1HEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568347IRF6613HEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568348IRF6614DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568349IRF6614DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568350IRF661730V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568351IRF6617TR1HEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568352IRF661830V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568353IRF6618TR130V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568354IRF6619DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568355IRF6619DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568356IRF662020V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568357IRF6620TR120V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568358IRF6621Das IRF6621 kombiniert die neueste HEXFET Energie MOSFET Silikontechnologie mit dem vorgerückten DirectFET, das verpackt, um den niedrigsten Aufzustand Widerstand zu erzielenInternational Rectifier
568359IRF6621Das IRF6621 kombiniert die neueste HEXFET Energie MOSFET Silikontechnologie mit dem vorgerückten DirectFET, das verpackt, um den niedrigsten Aufzustand Widerstand zu erzielenInternational Rectifier
568360IRF662320V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
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