| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568241 | IRF630SPBF | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568242 | IRF630ST4 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
| 568243 | IRF630STRL | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568244 | IRF630STRR | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568245 | IRF631 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568246 | IRF631 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 568247 | IRF632 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568248 | IRF632 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568249 | IRF633 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568250 | IRF633 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568251 | IRF634 | N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 568252 | IRF634 | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568253 | IRF634 | N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568254 | IRF634 | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568255 | IRF634A | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568256 | IRF634B | N-Führung 250V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568257 | IRF634B_FP001 | 250V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF634 u. von IRF634A | Fairchild Semiconductor |
| 568258 | IRF634FP | N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 568259 | IRF634FP | N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568260 | IRF634N | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568261 | IRF634NL | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568262 | IRF634NS | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568263 | IRF634PBF | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568264 | IRF634S | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568265 | IRF634STRL | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568266 | IRF634STRR | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568267 | IRF640 | N-Führung TrenchMOS(tm) Transistor | Philips |
| 568268 | IRF640 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Führung Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 568269 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
| 568270 | IRF640 | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568271 | IRF640 | N - FÜHRUNG 200V - 0.150Ohm - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568272 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 568273 | IRF640 | VERALTET - Stromfeldeffekttransistor | ON Semiconductor |
| 568274 | IRF640 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568275 | IRF640-D | Energie Fangen Effekt-Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
| 568276 | IRF640A | Vorgerückter Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568277 | IRF640B | N-Führung 200V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568278 | IRF640BTSTU_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF640 u. von IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568279 | IRF640B_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF640 u. von IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568280 | IRF640FP | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
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