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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
599041K4F660411D, K4F640411DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599042K4F660412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com modalidade rápidada páginaSamsung Electronic
599043K4F660412D, K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599044K4F660412D, K4F640412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599045K4F660412D-JC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599046K4F660412D-TC_LRAM dinâmica 16M x 4 bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599047K4F660412E, K4F640412ERAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599048K4F660412E, K4F640412ERAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599049K4F660811BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599050K4F660811B-JC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599051K4F660811B-JC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599052K4F660811B-JC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
599053K4F660811B-TC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599054K4F660811B-TC-50RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599055K4F660811B-TC-60RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
599056K4F660811D, K4F640811DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599057K4F660812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599058K4F660812D, K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599059K4F660812D, K4F640812DRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic



599060K4F660812D-JC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599061K4F660812D-TC_LRAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V, 8K atualizar ciclo.Samsung Electronic
599062K4F660812E, K4F640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599063K4F660812E, K4F640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599064K4F661611D, K4F641611DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
599065K4F661612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599066K4F661612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599067K4F661612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599068K4F661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
599069K4F661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
599070K4F661612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
599071K4F661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599072K4F661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599073K4F661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
599074K4F661612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599075K4F661612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599076K4F661612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
599077K4F661612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
599078K4F661612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
599079K4F661612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
599080K4F661612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
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