| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 598961 | K4F151612D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598962 | K4F151612D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598963 | K4F16(7)0811(2)D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da página | Samsung Electronic |
| 598964 | K4F160411C-B50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598965 | K4F160411C-B60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598966 | K4F160411C-F50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598967 | K4F160411C-F60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598968 | K4F160411D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598969 | K4F160411D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598970 | K4F160411D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598971 | K4F160412C-B50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598972 | K4F160412C-B60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598973 | K4F160412C-F50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598974 | K4F160412C-F60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598975 | K4F160412D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598976 | K4F160412D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598977 | K4F160412D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598978 | K4F160811D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598979 | K4F160811D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598980 | K4F160811D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598981 | K4F160812D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598982 | K4F160812D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598983 | K4F160812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598984 | K4F170411C-B50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598985 | K4F170411C-B60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598986 | K4F170411C-F50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598987 | K4F170411C-F60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598988 | K4F170411D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598989 | K4F170411D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598990 | K4F170411D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598991 | K4F170412C-B50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598992 | K4F170412C-B60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598993 | K4F170412C-F50 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 598994 | K4F170412C-F60 | RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 598995 | K4F170412D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598996 | K4F170412D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598997 | K4F170412D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598998 | K4F170811D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 598999 | K4F170811D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 599000 | K4F170811D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
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