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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
598961K4F151612D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598962K4F151612D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598963K4F16(7)0811(2)DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com a folha de dados rápida da modalidade da páginaSamsung Electronic
598964K4F160411C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
598965K4F160411C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
598966K4F160411C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
598967K4F160411C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
598968K4F160411DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598969K4F160411D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598970K4F160411D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598971K4F160412C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598972K4F160412C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598973K4F160412C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598974K4F160412C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598975K4F160412DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598976K4F160412D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598977K4F160412D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598978K4F160811DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598979K4F160811D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic



598980K4F160811D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598981K4F160812DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598982K4F160812D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598983K4F160812D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598984K4F170411C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
598985K4F170411C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
598986K4F170411C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
598987K4F170411C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
598988K4F170411DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598989K4F170411D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598990K4F170411D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598991K4F170412C-B50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598992K4F170412C-B60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598993K4F170412C-F50RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598994K4F170412C-F60RAM dinâmica 4M x 4 bits CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598995K4F170412DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598996K4F170412D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598997K4F170412D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598998K4F170811DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598999K4F170811D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
599000K4F170811D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização.Samsung Electronic
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