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Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
301	2N6533	8 A NPN Darlington transistor de potência. 120 V. 60 W. Ganho de 1000 a 3 A.	General Electric Solid State
302	2N6542	3A poder de comutação de transistor NPN.	General Electric Solid State
303	2N6544	5A poder de comutação de transistor NPN.	General Electric Solid State
304	2N6545	5A poder de comutação de transistor NPN.	General Electric Solid State
305	2N6546	10A poder de comutação de transistor NPN.	General Electric Solid State
306	2N6576	15 A NPN darlington poder transistor. 60 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.	General Electric Solid State
307	2N6577	15 A NPN darlington poder transistor. 90 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.	General Electric Solid State
308	2N6578	15 A NPN darlington poder transistor. 120 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.	General Electric Solid State
309	2N6609	Silicon PNP epitaxial-base-alta potência transistor. -160V, 150W.	General Electric Solid State
310	2N6648	10 A PNP Darlington transistor de potência. -40 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A.	General Electric Solid State
311	2N6649	10 A PNP Darlington transistor de potência. -60 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A.	General Electric Solid State
312	2N6650	10 A PNP Darlington transistor de potência. -80 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A.	General Electric Solid State
313	2N6666	10 A PNP Darlington transistor de potência. -40 V. 65 W. Ganho de 1000 a 3 A.	General Electric Solid State
314	2N6667	10 A PNP Darlington transistor de potência. -60 V. 65 W. Ganho de 1000 a 5 A.	General Electric Solid State
315	2N6668	10 A PNP Darlington transistor de potência. -80 V. 65 W. Ganho de 1000 a 5 A.	General Electric Solid State
316	2N6671	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
317	2N6672	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
318	2N6673	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
319	2N6676	15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
320	2N6677	15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
321	2N6678	15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
322	2N6686	25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.	General Electric Solid State
323	2N6687	25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.	General Electric Solid State
324	2N6688	25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN.	General Electric Solid State
325	2N6702	De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State
326	2N6703	De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State
327	2N6704	De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State
328	2N6751	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State

329	2N6752	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
330	2N6753	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
331	2N6754	5 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.	General Electric Solid State
332	2N6755	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 12A.	General Electric Solid State
333	2N6756	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 14A.	General Electric Solid State
334	2N6757	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
335	2N6758	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a.	General Electric Solid State
336	2N6759	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 350V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
337	2N6760	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 400V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
338	2N6761	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
339	2N6762	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
340	2N6764	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 38A.	General Electric Solid State
341	2N6766	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
342	2N6782	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 3.5 A, 100V.	General Electric Solid State
343	2N6788	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 6.0 A, 100V.	General Electric Solid State
344	2N6796	N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. 8.0 A, 100V.	General Electric Solid State
345	2N681	25A silício retificador controlado. Vrsom 35V.	General Electric Solid State
346	2N682	25A silício retificador controlado. Vrsom 75V.	General Electric Solid State
347	2N683	25A silício retificador controlado. Vrsom 150V.	General Electric Solid State
348	2N684	25A silício retificador controlado. Vrsom 225V.	General Electric Solid State
349	2N685	25A silício retificador controlado. Vrsom 300V.	General Electric Solid State
350	2N686	25A silício retificador controlado. Vrsom 350V.	General Electric Solid State

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