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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
3401MT3S06STIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3402MT3S06TTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3403MT3S06UTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3404MT3S07STIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3405MT3S07TTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3406MT3S07UTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3407MT3S08TTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3408MT3S111Rádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3409MT3S111PRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3410MT3S111TURádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3411MT3S113Rádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3412MT3S113PRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3413MT3S113TURádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3414MT3S150PArsenieto de gálio heterojunção bipolar transistorTOSHIBA
3415MT3S15TURádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3416MT3S16URádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3417MT3S19Rádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3418MT3S19RRádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3419MT3S19TURádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3420MT3S20PRádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3421MT3S20TURádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3422MT3S21PRádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3423MT3S22PRádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3424MT3S31TTransistor Bipolares do RfTOSHIBA
3425MT3S35TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3426MT3S36FSTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3427MT3S36TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3428MT3S37FSTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3429MT3S37TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3430MT3S38TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3431MT3S40FSTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3432MT3S40TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3433MT3S41FSTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3434MT3S41TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3435MT3S45TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3436MT3S46TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DO ESTÁGIO DE VCO OSCILLETORTOSHIBA
3437MT4S03ATipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3438MT4S03AUTipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3439MT4S03BURádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3440MT4S04ATipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3441MT4S04AUTipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3442MT4S06Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3443MT4S06UTipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3444MT4S07Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3445MT4S100TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDOTOSHIBA
3446MT4S100UTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDOTOSHIBA
3447MT4S101TTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDOTOSHIBA
3448MT4S101UTIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO BAIXA DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO PLANER DO TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN DO AMPLIFICADOR DO RUÍDOTOSHIBA
3449MT4S102TRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3450MT4S102URádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3451MT4S200TRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3452MT4S23URádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3453MT4S24URádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3454MT4S300TRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3455MT4S300URádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3456MT4S301TRádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3457MT4S301URádio-freqüência SiGe Heterojunction Bipolar TransistorTOSHIBA
3458MT4S32UTipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHFTOSHIBA
3459MT4S34UTransistor Bipolares do RfTOSHIBA
3460MT6C03AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3461MT6C03ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA



3462MT6C04AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3463MT6C04ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3464MT6C06ETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3465MT6L03AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3466MT6L03ATTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3467MT6L04AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3468MT6L04ATTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3469MT6L50AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3470MT6L50ATTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3471MT6L51AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3472MT6L51ATTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3473MT6L52AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3474MT6L53ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3475MT6L53STipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3476MT6L54ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3477MT6L54STipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3478MT6L55ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3479MT6L55STipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3480MT6L56ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3481MT6L56STipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3482MT6L57AETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
3483MT6L57ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3484MT6L57ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3485MT6L58AETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3486MT6L58ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3487MT6L58ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3488MT6L59ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3489MT6L59TTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3490MT6L61AETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3491MT6L61ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3492MT6L61ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3493MT6L62AETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3494MT6L62ASTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3495MT6L62ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador Da Faixa Da Aplicação VHF-UHF Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3496MT6L71FSDupla de rádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3497MT6L76FSDupla de rádio-freqüência transistor bipolarTOSHIBA
3498MT6P03AETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3499MT6P03ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3500MT6P04AETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA

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