 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| MJE180 изготавливается путем: | 
|
 | 60 В, 3 А, NPN кремния эпитаксиальный транзистор Другие с той же файл данные: MJE172, MJE181, MJE182, MJE200, |
скачать MJE180 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 199 kb |
 | 12.500W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. Другие с той же файл данные: MJE170, MJE171, |
скачать MJE180 лист данных ( datasheet ) от Continental Device India Limited |
pdf 67 kb |
 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный Транзистор | скачать MJE180 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 54 kb |
 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | скачать MJE180 лист данных ( datasheet ) от MOSPEC Semiconductor |
pdf 234 kb |
 | Освинцованное General purpose Транзистора Силы | скачать MJE180 лист данных ( datasheet ) от Central Semiconductor |
pdf 72 kb |
| MJE172STU | Посмотреть MJE180 в наш каталог | MJE18002 |