|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Versione italiana per questa pagina Verso portuguese para esta pgina
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с присутсвием Detec spd серийнымSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с листом данным по spdSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с листом данным по spdSamsung Electronic
416L102DA4МОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙSamsung Electronic
516T202DA1JМОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙSamsung Electronic
620S207DA4МОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙSamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903транзистор кремния npn эпитаксиальныйSamsung Electronic
92N3905ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
102N4123ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
112N4124ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
122N4125ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
132N4126ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
142N5086ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
152N5089ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
162N5210ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
172N5400ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
182N5401ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
192N5550ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
202N6427УВЕЛИЧЕНИЕ DC ЭПИТАКСИАЛЬНОГО КРЕМНИЯ DARLINGTON TRANSISTOR(HIGH NPN В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ)Samsung Electronic
212N6428ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
222N6428AТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
232N6516ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
242N6517ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
252N6518ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
262N6519ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
272N6520ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
2862256ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8 низкийSamsung Electronic
29B772PNP (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СКОРОСТИ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ НИЗКОЕ)Samsung Electronic
30BCW30ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
31BCW32ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
32BCW33ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
33BCW60AТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
34BCW60BТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
35BCW60CТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
36BCW60DТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
37BCW61AТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
38BCW61BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
39BCW61CТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
40BCW61DТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
41BCW69ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
42BCW70ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
43BCW71ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
44BCW72ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
45BCX70GТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
46BCX70HТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
47BCX70JТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
48BCX70KТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
49BCX71GТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
50BCX71HТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
51BCX71JТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
52BCX71KТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕSamsung Electronic
53BL8531H12 Бит 10MSPS AdcSamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Бит 10MSPS AdcSamsung Electronic
55BU406400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
56BU406H400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
57BU407ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic



58BU407H330 V, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
59BU408400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
60BU806400, 8, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
61BU807400, 8, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
62C9658MICROCONTROLLERSamsung Electronic
63CL10B224Разнослоистые Керамические КонденсаторыSamsung Electronic
64CL21C220Разнослоистые Керамические КонденсаторыSamsung Electronic
65CM-1429Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
66CM-1829Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
67CM14198-2 Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
68CM14298-2 Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
69CM18198-2 Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
70CM18298-2 Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
71CM1829-1429Принципиальнаяа схема P.c.bSamsung Electronic
72CMOS DRAMРежим EDO, диаграмма приспособления x4 и x8 приурочиваяSamsung Electronic
73CMOS SDRAMДеятельности Приспособления Cmos SDRAMSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497ЦЕПЬ ПЕРЕДНЕГО КОНЦА FM ДЛЯ РАДИОИХSamsung Electronic
76DA22497DЦЕПЬ ПЕРЕДНЕГО КОНЦА FM ДЛЯ РАДИОИХSamsung Electronic
77DDRSDRAMВариант 0.61 Спецификации DDR SDRAMSamsung Electronic
78DDRSDRAM1111Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAMSamsung Electronic
79DIRECT RDRAMСразу RDRAM. Деятельность ПриспособленияSamsung Electronic
80DS_K1S161611Aпамяти случайного доступа Уни-Tranzistora бита 1Mx16Samsung Electronic
81DS_K1S16161CAпамяти случайного доступа Уни-Tranzistora режима страницы бита 1Mx16Samsung Electronic
82DS_K4D263238D1M x 32Bit x 4 крена удваивает DRAM тарифа данных одновременный с bi-directional стробом данных и dllSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4CШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 64K x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2EШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 256Kx8 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4EШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128K x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6MШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита x16 2M и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 256Kx16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6Bлист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер низкой силы бита 512K x16 и низкого напряжения тока полный статическийSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6Cлист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер низкой силы бита 512K x16 и низкого напряжения тока полный статическийSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BШТОССЕЛЬ static cmos низкой силы бита 1Mx8 и низкого напряжения токаSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 & 64Kx32-Bit Одновременный Прокладыванный трубопровод Взрыв SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36 & 512Kx18 Одновременное SRAMSamsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный Взрыв SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through NtRAMSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18 NtRAMSamsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit NtRAMSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2018    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/