| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 881801 | MJE172 | Сила 3ЈA 80V PNP | ON Semiconductor |
| 881802 | MJE172 | 12.500W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881803 | MJE172 | -100 V, -1, PNP кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881804 | MJE172STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881805 | MJE180 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881806 | MJE180 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881807 | MJE180 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881808 | MJE180 | 12.500W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881809 | MJE180 | 60 В, 3 А, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881810 | MJE18002 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 2.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ
25 и 50 ВАТТ | Motorola |
| 881811 | MJE18002 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881812 | MJE18002-D | Транзистор Силы SWITCHMODE NPN Двухполярный
Для Применений Источника питания Переключения | ON Semiconductor |
| 881813 | MJE18002D2 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 2 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 50
ВАТТ | Motorola |
| 881814 | MJE18002D2 | Высокая скорость, с высоким коэффициентом усиления Биполярное NPN Мощность транзистор со встроенным коллектор-эмиттер диода и вст | ON Semiconductor |
| 881815 | MJE18002D2-D | Транзистор силы высокоскоростного, высокого увеличения
двухполярный NPN с интегрированным диодом Сборник-Izlucatel4
и built-in эффективные ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ сети Antisaturation
2 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 50 ВАТТ | ON Semiconductor |
| 881816 | MJE18004 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 5.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ
35 и 75 ВАТТ | Motorola |
| 881817 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881818 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881819 | MJE18004-D | Транзистор Силы SWITCHMODE NPN Двухполярный
Для Применений Источника питания Переключения | ON Semiconductor |
| 881820 | MJE18004D2 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 5 АМПЕРОВ 1000 ВОЛЬТОВ 75
ВАТТ | Motorola |
| 881821 | MJE18004D2 | Транзистор силы высокоскоростного, высокого увеличения
двухполярный NPN с интегрированным диодом Сборник-Izlucatel4
и built-in эффективное Antisaturation... | ON Semiconductor |
| 881822 | MJE18004D2 | Транзистор силы высокоскоростного, высокого увеличения
двухполярный NPN с интегрированным диодом Сборник-Izlucatel4
и built-in эффективное Antisaturation... | ON Semiconductor |
| 881823 | MJE18004D2-D | Транзистор силы высокоскоростного, высокого увеличения
двухполярный NPN с интегрированным диодом Сборник-Izlucatel4
и built-in эффективные ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ сети Antisaturation
5 АМПЕРОВ 1000 ВОЛЬТОВ 75 ВАТТ | ON Semiconductor |
| 881824 | MJE18006 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 6.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ
40 и 100 ВАТТ | Motorola |
| 881825 | MJE18006 | Сила 8ЈA 450V NPN | ON Semiconductor |
| 881826 | MJE18006-D | Транзистор Силы SWITCHMODE NPN Двухполярный
Для Применений Источника питания Переключения | ON Semiconductor |
| 881827 | MJE18008 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 8.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ
45 и 125 ВАТТ | Motorola |
| 881828 | MJE18008 | Транзистор™ Силы SWITCHMODE NPN
Двухполярный Для Применений Источника питания Переключения | ON Semiconductor |
| 881829 | MJE18008-D | Транзистор Силы SWITCHMODE NPN Двухполярный
Для Применений Источника питания Переключения | ON Semiconductor |
| 881830 | MJE18009 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 10 АМПЕРОВ 1000 ВОЛЬТОВ 50
и 150 ВАТТ | Motorola |
| 881831 | MJE18009-D | Транзистор Силы Кремния SWITCHMODE NPN
Плоскостной | ON Semiconductor |
| 881832 | MJE180STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881833 | MJE181 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881834 | MJE181 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881835 | MJE181 | КРЕМНИЙ 3 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
60-80 ВОЛЬТОВ 12.5 ВАТТА | Motorola |
| 881836 | MJE181 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881837 | MJE181 | Сила 3ЈA 60V NPN | ON Semiconductor |
| 881838 | MJE181 | 12.500W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881839 | MJE181 | 60 В, 3 А, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881840 | MJE181STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| | | |
