Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
881761 | MJE15032 | Транзистор, сила NPN, водитель audo | ON Semiconductor |
881762 | MJE15032 | 50.000W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 250 VCEO, 8.000A Ic, 50 - HFE | Continental Device India Limited |
881763 | MJE15032-D | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | ON Semiconductor |
881764 | MJE15033 | 8.0 СИЛЫ АМПЕРА КРЕМНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
КОМПЛЕМЕНТАРНОГО 250 ВОЛЬТОВ 50 ВАТТ | Motorola |
881765 | MJE15033 | 50.000W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 250 VCEO, 8.000A Ic, 50 - HFE | Continental Device India Limited |
881766 | MJE15033 | Бесплатный Silicon Пластиковые Мощные транзисторы | ON Semiconductor |
881767 | MJE15034 | Транзистор, Сила NPN, Тональнозвуковой Водитель | ON Semiconductor |
881768 | MJE15035 | Транзистор, Сила PNP, Тональнозвуковой Водитель | ON Semiconductor |
881769 | MJE16002 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 450v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
881770 | MJE16002 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 5.0 АМПЕРОВ NPN
450 ВОЛЬТОВ 80 ВАТТ | Motorola |
881771 | MJE16002 | 5 SwitchMax II силового транзистора. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
881772 | MJE16002-D | Транзисторы Силы Кремния Серии NPN
SWITCHMODE | ON Semiconductor |
881773 | MJE16004 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 450v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
881774 | MJE16004 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 5.0 АМПЕРОВ NPN
450 ВОЛЬТОВ 80 ВАТТ | Motorola |
881775 | MJE16004 | 5 SwitchMax II силового транзистора. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
881776 | MJE16106 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 8 АМПЕРОВ 400 ВОЛЬТОВ 100 И
125 ВАТТ | Motorola |
881777 | MJE16204 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 6.0 АМПЕРА 550 ВОЛЬТОВ -.
VCES 45 И 80 ВАТТ | Motorola |
881778 | MJE16204-D | Транзистор отклонения силы SCANSWITCH NPN
двухполярный для максимума и очень high resolution
ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ 6ЈA мониторов 45 и 80 ватт 550
вольтов | ON Semiconductor |
881779 | MJE170 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
881780 | MJE170 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881781 | MJE170 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
881782 | MJE170 | 12.500W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
881783 | MJE170 | -60 V, -3, PNP кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
881784 | MJE170STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
881785 | MJE171 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
881786 | MJE171 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881787 | MJE171 | КРЕМНИЙ 3 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
60-80 ВОЛЬТОВ 12.5 ВАТТА | Motorola |
881788 | MJE171 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
881789 | MJE171 | Сила 3ЈA 60V PNP | ON Semiconductor |
881790 | MJE171 | 12.500W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
881791 | MJE171 | -80 V, -1, PNP кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
881792 | MJE171-D | Комплементарные Пластичные Транзисторы Силы NPN
Кремния | ON Semiconductor |
881793 | MJE171STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
881794 | MJE172 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
881795 | MJE172 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
881796 | MJE172 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
881797 | MJE172 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
881798 | MJE172 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
881799 | MJE172 | КРЕМНИЙ 3 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
60-80 ВОЛЬТОВ 12.5 ВАТТА | Motorola |
881800 | MJE172 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| | | |