| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 881841 | MJE182 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881842 | MJE182 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 881843 | MJE182 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 881844 | MJE182 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 881845 | MJE182 | СИЛА TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881846 | MJE182 | КРЕМНИЙ 3 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
60-80 ВОЛЬТОВ 12.5 ВАТТА | Motorola |
| 881847 | MJE182 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881848 | MJE182 | Сила 3ЈA 80V NPN | ON Semiconductor |
| 881849 | MJE182 | 12.500W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50 - 250 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881850 | MJE182 | 60 В, 3 А, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881851 | MJE18204 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 5 АМПЕРОВ 1200 ВОЛЬТОВ 35
и 75 ВАТТ | Motorola |
| 881852 | MJE18204 | SWITCHMODE ™ NPN биполярный Мощность транзистор для электронных светло балласт и импульсный источник питания Приложения | ON Semiconductor |
| 881853 | MJE18204-D | Транзистор силы SWITCHMODE NPN двухполярный
на электронные светлые ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ применений источника питания
балласта и переключения 5 АМПЕРОВ 1200 ВОЛЬТОВ 35 и
75 ВАТТ | ON Semiconductor |
| 881854 | MJE18206 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 8 АМПЕРОВ 1200 ВОЛЬТОВ 40
и 100 ВАТТ | Motorola |
| 881855 | MJE18206 | SWITCHMODE ™ NPN биполярный Мощность транзистор для электронных светло балласт и импульсный источник питания Приложения | ON Semiconductor |
| 881856 | MJE182STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881857 | MJE18604 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 3 АМПЕРА 1600 ВОЛЬТОВ 100
ВАТТ | Motorola |
| 881858 | MJE18604D2 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 3 АМПЕРА 1600 ВОЛЬТОВ 100
ВАТТ | Motorola |
| 881859 | MJE200 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881860 | MJE200 | КРЕМНИЙ 5 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
25 ВОЛЬТОВ 15 ВАТТ | Motorola |
| 881861 | MJE200 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881862 | MJE200 | Сила 5ЈA 25V NPN | ON Semiconductor |
| 881863 | MJE200 | 40 V, 5, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881864 | MJE200-D | Комплементарные Транзисторы Пластмассы Силы Кремния | ON Semiconductor |
| 881865 | MJE200STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881866 | MJE200TSTU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881867 | MJE210 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881868 | MJE210 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 881869 | MJE210 | КРЕМНИЙ 5 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ
25 ВОЛЬТОВ 15 ВАТТ | Motorola |
| 881870 | MJE210 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881871 | MJE210 | Сила 5ЈA 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881872 | MJE210 | -40 V, -5, PNP кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 881873 | MJE210 | КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА | SGS Thomson Microelectronics |
| 881874 | MJE210STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 881875 | MJE210T | Сила 5ЈA 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881876 | MJE220 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 881877 | MJE220 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 881878 | MJE221 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 881879 | MJE221 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 881880 | MJE222 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| | | |
