|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29054 | 29055 | 29056 | 29057 | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1162321START450TRКРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
1162322START499ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
1162323START499ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)SGS Thomson Microelectronics
1162324START499ETRКремния NPN RF TransistorST Microelectronics
1162325START499TRТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
1162326START499TRКРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
1162327START540ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
1162328START540ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)SGS Thomson Microelectronics
1162329START540TRТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
1162330START540TRКРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
1162331START620ТРАНЗИСТОР NPN SIGE RFSGS Thomson Microelectronics
1162332STAT_GDE-JAN_AND_SMDMil/Aero ЯНВАРЬ и перекрестная ссылка SMDNational Semiconductor
1162333STAT_GDE_BICMOS_LGCНаправляющий выступ Наличия ЛогикиNational Semiconductor
1162334STAT_GDE_BIPOLAR_LGCНаправляющий выступ Наличия ЛогикиNational Semiconductor
1162335STAT_GDE_LOGIC_AVAILНаправляющий выступ Наличия ЛогикиNational Semiconductor
1162336STB0370Databrief STV0370ST Microelectronics
1162337STB0899Databrief STB0899ST Microelectronics
1162338STB100N10F7N-канальный 100 В, 0,0068 Ом тип., 80, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162339STB100NF03L-03N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026 ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1162340STB100NF03L-03N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET СИЛЫ 100A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1162341STB100NF03L-03-01N-CHANNEL 30V - 0.0026 Mosfet СИЛЫ Ш -100A D.?K/I.?K/TO-220 STripFET.?IST Microelectronics
1162342STB100NF03L-03-01N-CHANNEL 30V - 0.0026 Mosfet СИЛЫ Ш -100A D.?K/I.?K/TO-220 STripFET.?IST Microelectronics
1162343STB100NF03L-03-1N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026 ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1162344STB100NF03L-03-1N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET СИЛЫ 100A I2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1162345STB100NF03L-03T4N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026 ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1162346STB100NF04MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043ST Microelectronics
1162347STB100NF04MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043SGS Thomson Microelectronics
1162348STB100NF04-1MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043ST Microelectronics
1162349STB100NF04-1MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043SGS Thomson Microelectronics
1162350STB100NF04LMOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036ST Microelectronics
1162351STB100NF04LMOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036SGS Thomson Microelectronics
1162352STB100NF04L-1MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036ST Microelectronics
1162353STB100NF04LT4MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK/I2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036ST Microelectronics
1162354STB100NF04T4N-CHANNEL 40V - 0.0043ЈOHM - MOSFET СИЛЫ 120A™ TO-220/I2PAK/I2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162355STB100NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1162356STB100NH02LN-CHANNEL 24 - POWER MOSFET 60A D2PAK STRIPFET III - 0,0052 ОмSGS Thomson Microelectronics
1162357STB100NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1162358STB10N60M2N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162359STB10N65K3N-канальный 650 В, 0,75 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162360STB10N95K5N-канальный 950 В, 0,65 Ом тип., 8 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29054 | 29055 | 29056 | 29057 | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com