Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1162321 | START450TR | КРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОР | SGS Thomson Microelectronics |
1162322 | START499 | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
1162323 | START499 | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ
LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ
РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ) | SGS Thomson Microelectronics |
1162324 | START499ETR | Кремния NPN RF Transistor | ST Microelectronics |
1162325 | START499TR | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
1162326 | START499TR | КРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОР | SGS Thomson Microelectronics |
1162327 | START540 | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
1162328 | START540 | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ
LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ
РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ) | SGS Thomson Microelectronics |
1162329 | START540TR | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
1162330 | START540TR | КРЕМНИЯ NPN РФ ТРАНЗИСТОР | SGS Thomson Microelectronics |
1162331 | START620 | ТРАНЗИСТОР NPN SIGE RF | SGS Thomson Microelectronics |
1162332 | STAT_GDE-JAN_AND_SMD | Mil/Aero ЯНВАРЬ и перекрестная ссылка SMD | National Semiconductor |
1162333 | STAT_GDE_BICMOS_LGC | Направляющий выступ Наличия Логики | National Semiconductor |
1162334 | STAT_GDE_BIPOLAR_LGC | Направляющий выступ Наличия Логики | National Semiconductor |
1162335 | STAT_GDE_LOGIC_AVAIL | Направляющий выступ Наличия Логики | National Semiconductor |
1162336 | STB0370 | Databrief STV0370 | ST Microelectronics |
1162337 | STB0899 | Databrief STB0899 | ST Microelectronics |
1162338 | STB100N10F7 | N-канальный 100 В, 0,0068 Ом тип., 80, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162339 | STB100NF03L-03 | N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026
ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162340 | STB100NF03L-03 | N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 100A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1162341 | STB100NF03L-03-01 | N-CHANNEL 30V - 0.0026 Mosfet СИЛЫ
Ш -100A D.?K/I.?K/TO-220 STripFET.?I | ST Microelectronics |
1162342 | STB100NF03L-03-01 | N-CHANNEL 30V - 0.0026 Mosfet СИЛЫ
Ш -100A D.?K/I.?K/TO-220 STripFET.?I | ST Microelectronics |
1162343 | STB100NF03L-03-1 | N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026
ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162344 | STB100NF03L-03-1 | N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА -
MOSFET СИЛЫ 100A I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1162345 | STB100NF03L-03T4 | N-CHANNEL 30V - MOSFET СИЛЫ 0.0026
ОМОВ -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162346 | STB100NF04 | MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043 | ST Microelectronics |
1162347 | STB100NF04 | MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043 | SGS Thomson Microelectronics |
1162348 | STB100NF04-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043 | ST Microelectronics |
1162349 | STB100NF04-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 120A TO-220/D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0043 | SGS Thomson Microelectronics |
1162350 | STB100NF04L | MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK STRIPFET
II N-CHANNEL 40V 0.0036 | ST Microelectronics |
1162351 | STB100NF04L | MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK STRIPFET
II N-CHANNEL 40V 0.0036 | SGS Thomson Microelectronics |
1162352 | STB100NF04L-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036 | ST Microelectronics |
1162353 | STB100NF04LT4 | MOSFET СИЛЫ ОМА 100A D2PAK/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 40V 0.0036 | ST Microelectronics |
1162354 | STB100NF04T4 | N-CHANNEL 40V - 0.0043ЈOHM -
MOSFET СИЛЫ 120A TO-220/I2PAK/I2PAK
STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162355 | STB100NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1162356 | STB100NH02L | N-CHANNEL 24 - POWER MOSFET 60A D2PAK STRIPFET III - 0,0052 Ом | SGS Thomson Microelectronics |
1162357 | STB100NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1162358 | STB10N60M2 | N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162359 | STB10N65K3 | N-канальный 650 В, 0,75 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162360 | STB10N95K5 | N-канальный 950 В, 0,65 Ом тип., 8 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| | | |