| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1163761 | STD100NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.005 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163762 | STD100NH03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.005 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163763 | STD10N60M2 | N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163764 | STD10NF06L | MOSFET СИЛЫ ОМА 10A DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.1 | ST Microelectronics |
| 1163765 | STD10NF06L | MOSFET СИЛЫ ОМА 10A DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163766 | STD10NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 13ЈA
IPAK/DPAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1163767 | STD10NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 13ЈA
IPAK/DPAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163768 | STD10NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 13ЈA
IPAK/DPAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1163769 | STD10NF30 | Автомобильная класса N-канальный 300 В, 0,28 Ом тип., 10 MESH OVERLAY (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163770 | STD10NM50N | N-канальный 500 В, 0,53 Ом, 7 DPAK MDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163771 | STD10NM60N | N-канальный 600 В, 0,53 Ом, 10, DPAK MDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163772 | STD10NM60ND | N-канальный 600 В, 0,57 Ом, 8, DPAK FDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163773 | STD10NM65N | N-канальный 650 В, 0,43 Ом, 9, DPAK второго поколения MDmesh (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163774 | STD10P6F6 | P-канальный 60 В, 0,13 Ом тип., 10 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163775 | STD10PF06 | P-CHANNEL 60V - 0.18 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163776 | STD10PF06 | P-CHANNEL 60V - 0.18 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163777 | STD10PF06 | П - КАНАЛ 60V - 0.18 Ома - Mosfet
СИЛЫ 10A TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163778 | STD10PF06-1 | P-CHANNEL 60V - 0.18 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163779 | STD10PF06T4 | P-CHANNEL 60V - 0.18 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 10A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163780 | STD110 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163781 | STD110 ASIC | Содержание Книги | Samsung Electronic |
| 1163782 | STD110 ASIC | Характеристики | Samsung Electronic |
| 1163783 | STD110 ASIC | О Sec ASIC | Samsung Electronic |
| 1163784 | STD110 ASIC | Введение | Samsung Electronic |
| 1163785 | STD110NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0044 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163786 | STD110NH02L | N-CHANNEL 24 - POWER MOSFET 80A DPAK STRIPFET III - 0,0044 Ом | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163787 | STD110NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0044 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163788 | STD111 ASIC | Содержание Книги | Samsung Electronic |
| 1163789 | STD111 ASIC | Введение | Samsung Electronic |
| 1163790 | STD111 ASIC | Характеристики | Samsung Electronic |
| 1163791 | STD111 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163792 | STD11N65M2 | N-канальный 650 В, 0,6 Ом тип., 7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163793 | STD11N65M5 | N-канальный 650 В, 0,43 Ом, 9 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163794 | STD11NM50N | N-канальный 500 В, 0,4 Ом, 8,5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK | ST Microelectronics |
| 1163795 | STD11NM60N | N-канальный 600 В, 0,37 Ом, 10 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163796 | STD11NM60ND | N-канальный 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Мощность MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1163797 | STD11NM65N | N-канальный 650 В, 0,425 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163798 | STD120N4F6 | N-канальный 40 В, 3,5 мОм, 80, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163799 | STD120N4LF6 | N-канальный 40 В, 3,1 мОм, 80, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163800 | STD1224N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| | | |
