|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29095 | 29096 | 29097 | 29098 | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1163961STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - Mosfet DPAK/IPAK STripFET.?OWERST Microelectronics
1163962STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - Mosfet DPAK/IPAK STripFET.?OWERST Microelectronics
1163963STD17NF03LMOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038ST Microelectronics
1163964STD17NF03LMOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038SGS Thomson Microelectronics
1163965STD17NF03L-1MOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038ST Microelectronics
1163966STD17NF03L-1MOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038SGS Thomson Microelectronics
1163967STD17NF03LT4MOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038ST Microelectronics
1163968STD17NF25N-канальный 250 В, 0,14 Ом, 17, DPAK STripFET (TM) II Мощность MOSFETST Microelectronics
1163969STD1802ТРАНЗИСТОР ТОКА НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1163970STD1802T4ТРАНЗИСТОР ТОКА НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1163971STD1802T4-AНИЗКОВОЛЬТНАЯ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРST Microelectronics
1163972STD1805ТРАНЗИСТОР ТОКА НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1163973STD1805T4ТРАНЗИСТОР ТОКА НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1163974STD1862Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN ПлоскостнойAUK Corp
1163975STD1862LТранзистор Кремния Транзистора Кремния NPN ПлоскостнойAUK Corp
1163976STD18N55M5N-канальный 550 В, 0,150 Ом тип., 16, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1163977STD18N65M5N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1163978STD18NF03LN-канальный 30 В, 0,038 Ом тип., 17А STripFET (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1163979STD18NF25N-канальный 250 В, 0,14 Ом, 17 низкая заряд затвора STripFET (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1163980STD19NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 ОМА - MOSFET СИЛЫ 19A IPAK/DPAK STRIPFETST Microelectronics
1163981STD19NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 ОМА - MOSFET СИЛЫ 19A IPAK/DPAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1163982STD19NE06LN-CHANNEL 60V - 0.038 ОМА - MOSFET СИЛЫ 19A IPAK/DPAK STRIPFETST Microelectronics
1163983STD19NE06LN-CHANNEL 60V - 0.038 ОМА - 19A - MOSFET СИЛЫ TO-251/TO-252 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1163984STD19NE06LН - КАНАЛ 60V - 0.038 Ома - 19A - Mosfet СИЛЫ TO-251/TO-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1163985STD1HN60K3N-канальный 600 В, 6,4 Ом тип., 1,2, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1163986STD1HNC60MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4ST Microelectronics
1163987STD1HNC60MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
1163988STD1HNC60-1MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4ST Microelectronics
1163989STD1HNC60-1MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
1163990STD1HNC60T4MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4ST Microelectronics
1163991STD1LNC60N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A DPAK/IPAK POWERMESH II ОМАST Microelectronics
1163992STD1LNC60N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A DPAK/IPAK POWERMESH II ОМАSGS Thomson Microelectronics
1163993STD1LNC60-1N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A DPAK/IPAK POWERMESH II ОМАST Microelectronics
1163994STD1LNC60-1N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A DPAK/IPAK POWERMESH II ОМАSGS Thomson Microelectronics
1163995STD1LNK60ZN-CHANNEL 600V - 13 ОМА - MOSFET 0.8ЈA TO-92/IPAK/SOT-223 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1163996STD1LNK60Z-1N-CHANNEL 600V - 13 ОМА - MOSFET 0.8ЈA TO-92/IPAK/SOT-223 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1163997STD1NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1163998STD1NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163999STD1NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1164000STD1NB50MOSFET ОМА -1.4ЈA IPAK POWERMESH N-CHANNEL 500V -7.5ST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29095 | 29096 | 29097 | 29098 | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com