| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1164161 | STD30NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 28ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164162 | STD30NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 28ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164163 | STD30NF06L | ОМ 35ЈA DPAK N-CHANNEL 60V
0.022/$$ET-MOSFET СИЛЫ IPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164164 | STD30NF06L | ОМ 35ЈA DPAK N-CHANNEL 60V
0.022/$$ET-MOSFET СИЛЫ IPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164165 | STD30NF06L-1 | ОМ 35ЈA DPAK N-CHANNEL 60V
0.022/$$ET-MOSFET СИЛЫ IPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164166 | STD30NF06LT4 | ОМ 35ЈA DPAK N-CHANNEL 60V
0.022/$$ET-MOSFET СИЛЫ IPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164167 | STD30NF06T4 | N-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 28ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164168 | STD30PF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | ST Microelectronics |
| 1164169 | STD30PF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164170 | STD30PF03L-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | ST Microelectronics |
| 1164171 | STD30PF03L-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164172 | STD30PF03LT4 | P-CHANNEL 30V - 0.025 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164173 | STD35N3LH5 | N-канальный 30 V, 14 МОм ;, 35, DPAK STripFET (TM); В Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164174 | STD35NF06 | ОМ 55ЈA N-CHANNEL 60V 0.018 -
DPAK - MOSFET СИЛЫ STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164175 | STD35NF06 | ОМ 55ЈA N-CHANNEL 60V 0.018 -
DPAK - MOSFET СИЛЫ STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164176 | STD35NF06L | MOSFET ОМА 35ЈA DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.014 | ST Microelectronics |
| 1164177 | STD35NF06L | MOSFET ОМА 35ЈA DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164178 | STD35NF06LT4 | MOSFET ОМА 35ЈA DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.014 | ST Microelectronics |
| 1164179 | STD35NF06T4 | ОМ 55ЈA N-CHANNEL 60V 0.018 -
DPAK - MOSFET СИЛЫ STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164180 | STD35NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164181 | STD35NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164182 | STD35NF3LL-1 | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164183 | STD35NF3LL-1 | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164184 | STD35NF3LLT4 | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164185 | STD38NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.011 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164186 | STD38NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.011 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164187 | STD38NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 Ома - Mosfet
СИЛЫ 38ЈA TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164188 | STD38NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.011 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA DPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164189 | STD38NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.011 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA DPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164190 | STD3LN62K3 | N-канальный 620 В, 2,5 Ом, 2,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1164191 | STD3N25 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164192 | STD3N25 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164193 | STD3N25 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164194 | STD3N30 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164195 | STD3N30-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164196 | STD3N30-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164197 | STD3N30L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164198 | STD3N30L-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164199 | STD3N30L-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164200 | STD3N40K3 | N-канальный 400 В, 2,7 Ом тип., 2 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| | | |
