| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1164001 | STD1NB50 | Н - КАНАЛ 500V - 7.5ЈOhm - Mosfet
1.4ЈA IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164002 | STD1NB60 | N-CHANNEL 600V - 7.4 ОМА - 1A -
MOSFET IPAK/DPAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1164003 | STD1NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 7.4ЈOhm - 1A -
Mosfet IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164004 | STD1NB80 | N-CHANNEL 800V - 16 ОМОВ - 1A -
MOSFET DPAK/IPAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1164005 | STD1NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 16 Омов - 1A -
Mosfet DPAK/IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164006 | STD1NB80 | - Н - КАНАЛ 800V - 16Јohm - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1164007 | STD1NB80 | - Н - КАНАЛ 800V - 16Јohm - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1164008 | STD1NB80 | - Н - КАНАЛ 800V - 16Јohm - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1164009 | STD1NB80-1 | N-CHANNEL 800V - 16 ОМОВ - 1A -
MOSFET IPAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1164010 | STD1NB80-1 | Н - КАНАЛ 800V - 16 Омов - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164011 | STD1NB80T4 | N-CHANNEL 800V - 16 ОМОВ - 1A -
MOSFET DPAK/IPAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1164012 | STD1NC40-1 | Н - КАНАЛ 400V - 8Ohm - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164013 | STD1NC60 | MOSFET ОМА 1.4ЈA DPAK/IPAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 1164014 | STD1NC60 | MOSFET ОМА 1.4ЈA DPAK/IPAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164015 | STD1NC60-1 | MOSFET ОМА 1.4ЈA DPAK/IPAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 1164016 | STD1NC60T4 | MOSFET ОМА 1.4ЈA DPAK/IPAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 1164017 | STD1NC70Z | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | ST Microelectronics |
| 1164018 | STD1NC70Z | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164019 | STD1NC70Z-1 | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | ST Microelectronics |
| 1164020 | STD1NC70Z-1 | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164021 | STD1NK60 | N-CHANNEL 600V - 8 ОМОВ - MOSFET 1A
DPAK/IPAK/TO-92/SOT-223 SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164022 | STD1NK60-1 | N-CHANNEL 600V - 8 ОМОВ - MOSFET 1A
DPAK/IPAK/TO-92/SOT-223 SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164023 | STD1NK60T4 | N-CHANNEL 600V - 8 ОМОВ - MOSFET 1A
DPAK/IPAK/TO-92/SOT-223 SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164024 | STD1NK80Z | N-CHANNEL 800V - 12 Ом - 1A DPAK Зенера, защищенных SuperMESH ™ MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164025 | STD1NK80ZT4 | N-CHANNEL 800V - 12 Ом - 1A DPAK Зенера, защищенных SuperMESH ™ MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164026 | STD20N03L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1164027 | STD20N03L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1164028 | STD20N03L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1164029 | STD20N06 | MOSFET N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1164030 | STD20N20 | Mosfet ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
Ома 18ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK N-CHANNEL 200V
0.10 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164031 | STD20N20T4 | Mosfet ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
Ома 18ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK N-CHANNEL 200V
0.10 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164032 | STD20NE03L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164033 | STD20NE03L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164034 | STD20NE03L | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164035 | STD20NE06 | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1164036 | STD20NE06 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164037 | STD20NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164038 | STD20NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164039 | STD20NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164040 | STD20NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| | | |
