| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1164041 | STD20NF06T4 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 24ЈA DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164042 | STD20NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 30A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164043 | STD20NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 30A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164044 | STD20NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 30A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164045 | STD20NF20 | N-канальный 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / TO-220 / TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1164046 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164047 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164048 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164049 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164050 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164051 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Mosfet
MDmesh II ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 22ЈA DPAK УЛЬТРА
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164052 | STD25N10F7 | N-канальный 100 В, 0,027 Ом тип., 25, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164053 | STD25NE03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.019 Ома - 25ЈA -
Mosfet СИЛЫ TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164054 | STD25NE03L | MOSFET N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1164055 | STD25NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
25ЈA DPAK N-CHANNEL 100V 0.033 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164056 | STD25NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
25ЈA DPAK N-CHANNEL 100V 0.033 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164057 | STD25NF10L | N-CHANNEL 100V - 0 030 ОМА -
MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 25ЈA
DPAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164058 | STD25NF10LA | N-канальный 100 В, 0,030 Ом, 25, DPAK STripFET (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164059 | STD25NF10LT4 | N-CHANNEL 100V - 0 030 ОМА -
MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 25ЈA
DPAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164060 | STD25NF10T4 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
25ЈA DPAK N-CHANNEL 100V 0.033 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164061 | STD25NF20 | N-канальный 200 В, 0,10 Ом тип., 18 StripFET (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164062 | STD26NF10 | N-канальный 100V - 0.033Ohm - 25A - DPAK | ST Microelectronics |
| 1164063 | STD26P3LLH6 | P-канальный 30 В, 0,024 Ом тип., 12, STripFET (TM) VI DeepGATE питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164064 | STD2805 | Низкое напряжение быстро переключения PNP транзистор питания | ST Microelectronics |
| 1164065 | STD2805T4 | Низкое напряжение быстро переключения PNP транзистор питания | ST Microelectronics |
| 1164066 | STD29NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 29A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164067 | STD29NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 29A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164068 | STD29NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.018 Ома - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 29A DPAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164069 | STD29NF03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 29A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164070 | STD2HNK60Z | N-канальный 600 В, 4,4 Ом, 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164071 | STD2HNK60Z-1 | N-CHANNEL 600V - 4.4 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 2.0A TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164072 | STD2LN60K3 | N-канальный 600 В, 4 Ом тип., 2, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164073 | STD2N50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164074 | STD2N50 | MOSFET N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1164075 | STD2N50-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164076 | STD2N50-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164077 | STD2N62K3 | N-канальный 620 В, 3 Ом тип., 2,2 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164078 | STD2N80K5 | N-канальный 800 В, 3,5 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164079 | STD2N95K5 | N-канальный 950 В, 4,2 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164080 | STD2NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
