|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164241STD3PS25-1P-CHANNEL 250V - 2.1 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 3ЈA DPAK/IPAKST Microelectronics
1164242STD3PS25T4P-CHANNEL 250V - 2.1 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 3ЈA DPAK/IPAKST Microelectronics
1164243STD40NE03LN-CHANNEL 30V - 0.012 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A TO-252 STRIPFETST Microelectronics
1164244STD40NE03LН - КАНАЛ 30V - 0.012 Ома - Mosfet СИЛЫ 40A TO-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164245STD40NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164246STD40NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1164247STD40NF02LN-CHANNEL 20V - 0.01 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1164248STD40NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164249STD40NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1164250STD40NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.012 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1164251STD40NF03LT4N-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164252STD40NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164253STD40NF06LZN-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK ZENER-PROTECTED STRIPFET IIST Microelectronics
1164254STD40NF06LZN-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK ZENER-PROTECTED STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1164255STD40NF06LZT4N-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK ZENER-PROTECTED STRIPFET IIST Microelectronics
1164256STD40NF06T4N-CHANNEL 60V - 0.024 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164257STD40NF10N-канальный 100 В, 0,025 Ом, 50 DPAK низкий заряд затвора STripFET (TM) II Мощность MOSFETST Microelectronics
1164258STD40NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164259STD40NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1164260STD40NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0095 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙ ]SGS Thomson Microelectronics
1164261STD40NF3LLT4N-CHANNEL 30V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164262STD44N4LF6N-канальный 40 В, 8,9 мОм, 44, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1164263STD45N10F7N-канальный 100 В, 0,013 Ом тип., 45 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164264STD45NF03LN-CHANNEL 30V - 0.011 ОМА - MOSFET СИЛЫ 45ЈA DPAK STRIPFETST Microelectronics
1164265STD45NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.011 Ома - Mosfet СИЛЫ 45ЈA DPAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164266STD45NF75N-CHANNEL 75V - MOSFET СИЛЫ 0.018 ОМОВ -40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164267STD45NF75T4N-CHANNEL 75V - MOSFET СИЛЫ 0.018 ОМОВ -40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164268STD4A60SТиристоры Чувствительного Кремния Триаков Строба ДвухнаправленныеSemiWell Semiconductor
1164269STD4A60SТиристоры Чувствительного Кремния Триаков Строба ДвухнаправленныеSemiWell Semiconductor
1164270STD4A60SТиристоры Чувствительного Кремния Триаков Строба ДвухнаправленныеSemiWell Semiconductor
1164271STD4N20N-CHANNEL 200V - 1.2 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 4ЈA DPAK/IPAKST Microelectronics
1164272STD4N20-1N-CHANNEL 200V - 1.2 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 4ЈA DPAK/IPAKST Microelectronics
1164273STD4N25Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1164274STD4N25-1ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1164275STD4N25-1ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELSGS Thomson Microelectronics
1164276STD4N52K3N-канальный 525 В, 2,5, 2,1 Ом тип., SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164277STD4N62K3N-канальный 620 В, 1,7 Ом тип., 3,8, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164278STD4N80K5N-канальный 800 В, 2,1 Ом тип., 3 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164279STD4NA40Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1164280STD4NA40-1ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL БЫСТРЫЙST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com