|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164361STD60N3LH5N-канальный 30 В, 0,0072 Ом тип., 48 STripFET (TM) V Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164362STD60N55F3N-канальный 55 В, 6,5 мОм ном., 80 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164363STD60NF06N-CHANNEL 60 В - 0.014 ОМА - 60 Mosfet СИЛЫ DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164364STD60NF06T4N-CHANNEL 60 В - 0.014 ОМА - 60 Mosfet СИЛЫ DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164365STD60NF3LLMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.0075ST Microelectronics
1164366STD60NF3LLMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.0075SGS Thomson Microelectronics
1164367STD60NF3LLT4MOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.0075ST Microelectronics
1164368STD60NF55LMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET N-CHANNEL 55V 0.012ST Microelectronics
1164369STD60NF55LMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET N-CHANNEL 55V 0.012SGS Thomson Microelectronics
1164370STD60NF55L-1MOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET N-CHANNEL 55V 0.012ST Microelectronics
1164371STD60NF55LAN-канальный 55 В, 0,012 Ом, 60 DPAK STripFET (TM) II Мощность MOSFETST Microelectronics
1164372STD60NF55LAT4N-канальный 55 В, 0,012 Ом, 60 DPAK STripFET (TM) II Мощность MOSFETST Microelectronics
1164373STD60NF55LT4MOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET N-CHANNEL 55V 0.012ST Microelectronics
1164374STD60NH03LN-CHANNEL 30V - 0.0075 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164375STD60NH03L-1N-CHANNEL 30V - 0.0075 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164376STD60NH03LT4N-CHANNEL 30V - 0.0075 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164377STD616AВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNST Microelectronics
1164378STD616AВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
1164379STD616A-1ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
1164380STD616A-1ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNST Microelectronics
1164381STD616AT4ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNST Microelectronics
1164382STD65N3LLH5N-канальный 30 В, 0,0061 Ом, 65, DPAK STripFET (TM) V Мощность MOSFETST Microelectronics
1164383STD65N55F3N-канальный 55V - 6.5mOhm - 65A - DPAK STripFET (TM); Мощность MOSFETST Microelectronics
1164384STD65N55LF3N-канальный 55 В, 6,5 мОм ном., 80 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164385STD6N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1164386STD6N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164387STD6N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1164388STD6N52K3N-канальный 525 В, 1 Ом, 5, DPAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1164389STD6N60M2N-канальный 600 В, 1,06 Ом тип., 4,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164390STD6N62K3N-канальный 620 В, 0,95 Ом, 5,5 SuperMESH3 (TM) MOSFET Власть в DPAKST Microelectronics
1164391STD6N65M2N-канальный 650 В, 1,2 Ом тип., 4 MDmesh M2 питания MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164392STD6N80K5N-канальный 800 В, 1,3 Ом тип., 4,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164393STD6N95K5N-канальный 950 В, 1 Ом тип., 9 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164394STD6NC40MOSFET ОМА 5ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 400V 0.75ST Microelectronics
1164395STD6NC40-1MOSFET ОМА 5ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 400V 0.75ST Microelectronics
1164396STD6NC40T4MOSFET ОМА 5ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 400V 0.75ST Microelectronics
1164397STD6NF10N-CHANNEL 100V - 0.22 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 6ЈA IPAK/DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164398STD6NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.22 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 6ЈA IPAK/DPAK НИЗКИЙST Microelectronics
1164399STD6NK50ZN-CHANNEL 500V - 0.98 ОМА - 5.6ЈA TO-220/$$ET-MOSFET TO-220FP/$$ET-DPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESHST Microelectronics
1164400STD6NK50ZT4N-CHANNEL 500V - 0.98 ОМА - 5.6ЈA TO-220/$$ET-MOSFET TO-220FP/$$ET-DPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESHST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com