|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164121STD2NC60MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 3.3ST Microelectronics
1164122STD2NC60MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 3.3SGS Thomson Microelectronics
1164123STD2NC60-1MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 3.3ST Microelectronics
1164124STD2NC60-1MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 3.3SGS Thomson Microelectronics
1164125STD2NC60T4MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 3.3ST Microelectronics
1164126STD2NC70ZMOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 4.1ST Microelectronics
1164127STD2NC70ZMOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 4.1SGS Thomson Microelectronics
1164128STD2NC70Z-1MOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 4.1ST Microelectronics
1164129STD2NC70Z-1MOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 4.1SGS Thomson Microelectronics
1164130STD2NK100ZN-канальный 1000 V, 6,25 Ом, 1,85, DPAK стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1164131STD2NK60ZMOSFET N-CHANNELST Microelectronics
1164132STD2NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 7.2 ОМА - 1.4 Mosfet А TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESHST Microelectronics
1164133STD2NK70ZN-CHANNEL 700 В - 6 Омов - 1.6 Зенер-Za5i5enny1 DPAK/IPAK Mosfet SuperMESHST Microelectronics
1164134STD2NK70Z-1N-CHANNEL 700 В - 6 Омов - 1.6 Зенер-Za5i5enny1 DPAK/IPAK Mosfet SuperMESHST Microelectronics
1164135STD2NK70ZT4N-CHANNEL 700 В - 6 Омов - 1.6 Зенер-Za5i5enny1 DPAK/IPAK Mosfet SuperMESHST Microelectronics
1164136STD2NK90ZN-CHANNEL 900V - 5 Омов - 2.1A - Mosfet TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164137STD2NK90Z-1N-CHANNEL 900V - 5 Омов - 2.1A - Mosfet TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164138STD2NK90ZT4N-CHANNEL 900V - 5 Омов - 2.1A - Mosfet TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164139STD2NM60N-CHANNEL 600V - 2.8 ОМА - MOSFET СИЛЫ 2ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESHST Microelectronics
1164140STD2NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 2ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 2.8SGS Thomson Microelectronics
1164141STD2NM60-1N-CHANNEL 600V - 2.8 ОМА - MOSFET СИЛЫ 2ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESHST Microelectronics
1164142STD2NM60-1MOSFET СИЛЫ ОМА 2ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 2.8SGS Thomson Microelectronics
1164143STD2NM60T4N-CHANNEL 600V - 2.8 ОМА - MOSFET СИЛЫ 2ЈA DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESHST Microelectronics
1164144STD3055LТранзистор ffect ield е ф режима nhancement уровня е логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164145STD3055LТранзистор ffect ield е ф режима nhancement уровня е логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164146STD3055LТранзистор ffect ield е ф режима nhancement уровня е логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164147STD3055L2Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164148STD3055L2Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164149STD3055L2Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики Н-KanalaSamHop Microelectronics Corp.
1164150STD30N10F7N-канальный 100 В, 0,02 Ом тип., 35 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164151STD30NE06N-CHANNEL 60V - 0.025 ОМА - 30A - DPAK - MOSFET СИЛЫ STRIPFETST Microelectronics
1164152STD30NE06Н - КАНАЛ 60V - 0.025 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ DPAK STripFET "SGS Thomson Microelectronics
1164153STD30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.025 OMH - MOSFET СИЛЫ 30A TO-252 STRIPFETST Microelectronics
1164154STD30NE06LН - КАНАЛ 60V - 0.025 Ома - Mosfet СИЛЫ 30A TO-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164155STD30NE06LT4N-CHANNEL 60V - 0.025 OMH - MOSFET СИЛЫ 30A TO-252 STRIPFETST Microelectronics
1164156STD30NF03LN-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A DPAK/IPAK STRIPFETST Microelectronics
1164157STD30NF03LN-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A DPAK/IPAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1164158STD30NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.020 Ома - Mosfet СИЛЫ 30A DPAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164159STD30NF03LT4N-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A DPAK/IPAK STRIPFETST Microelectronics
1164160STD30NF04LTN-канальный 40 В, 0,03 Ом тип., 30, STripFET (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com