| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1163801 | STD1224N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163802 | STD1224N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163803 | STD123ASF | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163804 | STD123S | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163805 | STD123SF | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163806 | STD123U | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163807 | STD123UF | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163808 | STD127DT4 | Высокое напряжение быстрое переключение NPN транзистор питания | ST Microelectronics |
| 1163809 | STD129 | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | AUK Corp |
| 1163810 | STD12N05 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163811 | STD12N05 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163812 | STD12N05 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163813 | STD12N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163814 | STD12N05L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163815 | STD12N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163816 | STD12N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163817 | STD12N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163818 | STD12N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163819 | STD12N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163820 | STD12N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163821 | STD12N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163822 | STD12N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163823 | STD12N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163824 | STD12N10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.12 Ома - ТРАНЗИСТОР
Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ 12ЈA TO-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163825 | STD12N65M5 | N-канальный 650 В, 0,39 Ом, 8,5 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1163826 | STD12NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.08 Ома - 12ЈA -
IPAK/DPAK ОПРЕДЕЛЯЮТ Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163827 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.09 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163828 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.09 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163829 | STD12NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.09 Ома - Mosfet
СИЛЫ 12ЈA TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163830 | STD12NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163831 | STD12NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163832 | STD12NF06-1 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163833 | STD12NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163834 | STD12NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163835 | STD12NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163836 | STD12NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163837 | STD12NF06T4 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163838 | STD12NM50ND | N-канальный 500 В, 0,29 Ом тип., 11 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1163839 | STD130 ASIC | Содержание Книги | Samsung Electronic |
| 1163840 | STD130 ASIC | Введение | Samsung Electronic |
| | | |
