| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1179881 | STTS751-0DP3F | Местный цифровой датчик температуры 2,25 V низкого напряжения | ST Microelectronics |
| 1179882 | STTS751-0WB3F | Местный цифровой датчик температуры 2,25 V низкого напряжения | ST Microelectronics |
| 1179883 | STTS751-1DP3F | Местный цифровой датчик температуры 2,25 V низкого напряжения | ST Microelectronics |
| 1179884 | STTS751-1WB3F | Местный цифровой датчик температуры 2,25 V низкого напряжения | ST Microelectronics |
| 1179885 | STTS75DS2F | Цифровой датчик температуры и тепловой сторожевой | ST Microelectronics |
| 1179886 | STTS75M2F | Цифровой датчик температуры и тепловой сторожевой | ST Microelectronics |
| 1179887 | STU10N60M2 | N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179888 | STU10NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179889 | STU10NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179890 | STU10NB80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179891 | STU10NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 0.65ЈOhms - 10A -
Mosfet Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179892 | STU10NC70Z | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179893 | STU10NC70ZI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179894 | STU10NM60N | N-канальный 600 В, 0,53 Ом, 10 Ипак MDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179895 | STU10P6F6 | P-канальный 60 В, 0,13 Ом тип., 10 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179896 | STU11N65M2 | N-канальный 650 В, 0,6 Ом тип., 7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179897 | STU11NB60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179898 | STU11NB60 | N-CHANNEL 600V - 0.5ЈOhm - 11A -
Mosfet Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179899 | STU11NC60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179900 | STU11NC60 | N-CHANNEL 600V - 0.48Ohm - Mosfet
11A Max220 PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179901 | STU1224N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179902 | STU1224N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179903 | STU12N65M5 | NN-канал 650 V, 0,39 Ом, 8,5 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET IPAK | ST Microelectronics |
| 1179904 | STU13005N | Высокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питания | ST Microelectronics |
| 1179905 | STU13N60M2 | N-канальный 600 В, 0,35 Ом тип., 11 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179906 | STU13NB60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179907 | STU13NB60 | Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179908 | STU13NC50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179909 | STU13NC50 | MOSFET ОМА 13ЈA MAX220 POWERMESH
II N-CHANNEL 500V 0.31 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179910 | STU13NM60N | N-канальный 600 В, 0,28 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179911 | STU14NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179912 | STU14NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179913 | STU14NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179914 | STU16N65M2 | N-канальный 650 В, 0,32 Ом тип., 11 MDmesh M2 питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179915 | STU16NB50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179916 | STU16NB50 | N-CHANNEL 500V - 0.28W - Mosfet
15.6ЈA-Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179917 | STU16NC50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179918 | STU16NC50 | MOSFET ОМА 16ЈA MAX220 POWERMESH
II N-CHANNEL 500V 0.22 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179919 | STU1HN60K3 | N-канальный 600 В, 6,4 Ом тип., 1,2, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179920 | STU2071 | ЦЕПЬ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА 4B3T У | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
