| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1180041 | STU6N65K3 | N-канальный 650 В, 1,1 Ом тип., 5,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180042 | STU6N65M2 | N-канальный 650 В, 1,2 Ом тип., 4 MDmesh M2 питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180043 | STU6N95K5 | N-канальный 950 В, 1 Ом тип., 9 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180044 | STU6NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180045 | STU6NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180046 | STU6NA100 | Н - КАНАЛ 1000V - 1.45W - 6ЈA -
Max220, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180047 | STU6NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180048 | STU6NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180049 | STU6NA90 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180050 | STU6NF10 | N-канальный 100 В, 0,22 Î ©, 6, DPAK Ипак низкий заряд затвора STripFETÍ ?? 2; 2; Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180051 | STU75N3LLH6 | N-канальный 30 В, 0,0042 Ом, 75 Ипак STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180052 | STU7N60M2 | N-канальный 600 В, 0,86 Ом тип., 5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180053 | STU7N65M2 | N-канальный 650 В, 0,96 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в корпусе ИПАК | ST Microelectronics |
| 1180054 | STU7N80K5 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180055 | STU7NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180056 | STU7NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180057 | STU7NA80 | Н - КАНАЛ 800V - 1.3 Ома - 6.5ЈA -
Max220 ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180058 | STU7NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180059 | STU7NA90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180060 | STU7NA90 | Н - КАНАЛ 900V - 1.05 Ома - 7A -
Max220 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180061 | STU7NB100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180062 | STU7NB100 | Н - КАНАЛ 1000V - 1.2W - 7.3ЈA -
Max220, Mosfet PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180063 | STU7NB90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180064 | STU7NB90 | Н - КАНАЛ 900V - 1.2 Ома - 7.3ЈA -
Mosfet Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180065 | STU7NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 7.3ЈA -
MOSFET MAX220/MAX220I POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180066 | STU7NB90I | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180067 | STU7NB90I | N-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 7.3ЈA -
MOSFET MAX220/MAX220I POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180068 | STU7NF25 | N-канальный 250 V 0,29 Ом тип., 8, STripFET (TM) II Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180069 | STU7NM60N | N-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180070 | STU80N4F6 | N-канальный 40 В, 5,8 мОм ном., 80, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1180071 | STU85N3LH5 | N-канальный 30 В, 0,0042 Ом, 80, DPAK, TO-220, IPAK | ST Microelectronics |
| 1180072 | STU8N65M5 | N-канальный 650 В, 0,56 Ом, 7 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в Ипак | ST Microelectronics |
| 1180073 | STU8N80K5 | N-канальный 800 В, 0,8 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1180074 | STU8NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180075 | STU8NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180076 | STU8NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180077 | STU8NB90 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180078 | STU8NB90 | N-CHANNEL 900V - 0.7 Ома - 8.9A -
Mosfet Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180079 | STU8NC90Z | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180080 | STU8NC90Z | ОМ 7.6ЈA MAX220 N-CHANNEL 900V
1.1/$$ET-MOSFET I-MAX220 ZENER-PROTECTED POWERMESH
III | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
