|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29516 | 29517 | 29518 | 29519 | 29520 | 29521 | 29522 | 29523 | 29524 | 29525 | 29526 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1180801STVMOCAABAМультимедиа за решения коаксиальных STST Microelectronics
1180802STVPST Визуальный программист для программирования ST7, STM8 и STM32ST Microelectronics
1180803STVVGLNAОбщего назначения, с переменным коэффициентом, с низким уровнем шума, усилитель РФ для применения радиовещательный приемникST Microelectronics
1180804STVVGLNATОбщего назначения, с переменным коэффициентом, с низким уровнем шума, усилитель РФ для применения радиовещательный приемникST Microelectronics
1180805STW10N95K5N-канальный 950 В, 0,65 Ом тип., 8 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180806STW10NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1180807STW10NB60N-CHANNEL 600V - 0.69 ОМА - 10A - MOSFET TO-247 POWERMESHST Microelectronics
1180808STW10NB60Н - КАНАЛ 600V - 0.69ЈOhm - 10A - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180809STW10NC60N-CHANNEL 600V - 0.6 ОМА - 10A - MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESHST Microelectronics
1180810STW10NC60Н - КАНАЛ 600V - 0.65ЈOhms - 10A - Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
1180811STW10NC60N-CHANNEL 600V - 0.6 ОМА - 10A - MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1180812STW10NC70ZMOSFET N-CHANNEL 700V 0.58OHM 10.6ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIIST Microelectronics
1180813STW10NC70ZMOSFET N-CHANNEL 700V 0.6ЈOHM 10.6ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
1180814STW10NK60ZN-CHANNEL 600V - 0.65 ОМА - MOSFET СИЛЫ 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1180815STW10NK60ZMOSFET СИЛЫ ОМА 10A ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 600V 0.65SGS Thomson Microelectronics
1180816STW10NK80ZN-CHANNEL 800V - 0.78 ОМА - MOSFET СИЛЫ 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1180817STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 ОМА - 11A - MOSFET TO-247 POWERMESHST Microelectronics
1180818STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65ЈOhm - 11A - Mosfet T0-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180819STW11NK100ZMOSFET СИЛЫ ОМА 8.3ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 1000V 1.1ST Microelectronics
1180820STW11NK90ZN-канальный 900 В, 0,82 Ом тип., 9,2 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в корпусе ТО-247ST Microelectronics
1180821STW11NM80N-CHANNEL 800 В - 0.35 ОМА - 11 Mosfet А TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDMESHST Microelectronics
1180822STW120NF10N-канальный 100 В, 0,009 Ом, 110, STripFET (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакетST Microelectronics
1180823STW12N120K5N-канальный 1200 V, 0,58 Ом тип., 12 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180824STW12NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180825STW12NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1180826STW12NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1180827STW12NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180828STW12NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1180829STW12NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1180830STW12NB60MOSFET ОМА 12ЈA TO-247 POWERMESH N-CHANNEL 600V 0.5ST Microelectronics
1180831STW12NB60MOSFET ОМА 12ЈA TO-247 POWERMESH N-CHANNEL 600V 0.5SGS Thomson Microelectronics
1180832STW12NC60MOSFET ОМА 12ЈA TO-247 POWERMESH II N-CHANNEL 600V 0.48ST Microelectronics
1180833STW12NC60N-CHANNEL 600V - 0.48W - Mosfet 12ЈA TO-247 PowerMesh IISGS Thomson Microelectronics
1180834STW12NK80ZN-CHANNEL 800V - 0.65 ОМА - 10.5 Mosfet СИЛЫ TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1180835STW12NK90ZMOSFET СИЛЫ ОМА 11A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 900V 0.72ST Microelectronics
1180836STW12NK95ZN-CHANNEL 950V - 0,72 Ом - 10A - TO-247 Зенера, защищенных SuperMESH ™ на MOSFETST Microelectronics
1180837STW130NS04ZBN-CHANNEL ЗАЖАЛО - 8MOHM - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 80A TO-220/TO-247 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
1180838STW13N60M2N-канальный 600 В, 0,35 Ом тип., 11 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180839STW13N80K5N-канальный 800 В, 0,37 Ом тип., 12 MDmesh K5 мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180840STW13N95K3N-канальный 950 В, 0,68 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-247ST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29516 | 29517 | 29518 | 29519 | 29520 | 29521 | 29522 | 29523 | 29524 | 29525 | 29526 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com