|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29518 | 29519 | 29520 | 29521 | 29522 | 29523 | 29524 | 29525 | 29526 | 29527 | 29528 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1180881STW18N65M5N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180882STW18NB40MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218 POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19ST Microelectronics
1180883STW18NB40N-CHANNEL 400V - 0.19W - Mosfet 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180884STW18NB40MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218 POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19SGS Thomson Microelectronics
1180885STW18NK60ZN-CHANNEL 600V - 0.27 ОМА - MOSFET 16ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED™ SUPERMESHST Microelectronics
1180886STW18NK80ZMOSFET СИЛЫ ОМА 18ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 800V 0.34ST Microelectronics
1180887STW18NM60NN-канальный 600 В, 0,26 Ом тип., 13 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247ST Microelectronics
1180888STW18NM60NDN-канальный 600 В, 0,25 Ом тип., 13 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-247 пакетаST Microelectronics
1180889STW18NM80N-канальный 800 В, 0,25 Ом, 17, MDmesh (TM) Мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180890STW19NM50NN-канальный 500 В, 0,2 Ом, 14 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247ST Microelectronics
1180891STW19NM60NАвтомобильная класса N-канальный 600 В, 0,26 Ом, 13 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакетST Microelectronics
1180892STW200NF03N-CHANNEL 30V - 0.002 ОМА - MOSFET 120A TO-247 УЛЬТРА НИЗКИЙ ON-RESISTANCE STRIPFET IIST Microelectronics
1180893STW200NF03N-CHANNEL 30V - 0,002 Ом - 120А К-247 ULTRA низким сопротивлением MOSFET STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1180894STW20N65M5N-канальный 650 В, 0,160 Ом тип., 18 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180895STW20N95K5N-канальный 950 В, 0,275 Ом тип., 17,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180896STW20NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1180897STW20NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1180898STW20NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1180899STW20NB50MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОЧЕНЬ НИЗКИЙST Microelectronics
1180900STW20NB50Н - КАНАЛ 500V - 0.22ЈOhm - 20A - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180901STW20NC50N-CHANNEL 500V - MOSFET 0.22 ОМОВ 18.4ЈA TO-247 POWERMESH IIST Microelectronics
1180902STW20NC50N-CHANNEL 500V - MOSFET 0.22 ОМОВ 18.4ЈA TO-247 POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1180903STW20NK50ZN-CHANNEL 500V - 0.23 ОМА - 17A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWERMOSFETST Microelectronics
1180904STW20NK70ZN-CHANNEL 700V - 0.25 ОМА - Mosfet 20A Зенер-Za5i5enny1 TO-247 SuperMESHST Microelectronics
1180905STW20NM50N-CHANNEL 500V - 0.20 ОМА - MOSFET СИЛЫ 20A TO-247 MDMESHST Microelectronics
1180906STW20NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-247 MDMESH N-CHANNEL 500V 0.20SGS Thomson Microelectronics
1180907STW20NM50FDMOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.22ST Microelectronics
1180908STW20NM50FDMOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.22SGS Thomson Microelectronics
1180909STW20NM60N-CHANNEL 600V - 0.26 ОМА - MOSFET СИЛЫ 20A TO-247 MDMESHST Microelectronics
1180910STW20NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-247 MDMESH N-CHANNEL 600V 0.25SGS Thomson Microelectronics
1180911STW20NM60FDMOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESH N-CHANNEL 600V 0.26ST Microelectronics
1180912STW21N65M5N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247ST Microelectronics
1180913STW21N90K5N-канальный 900 В, 0,25 Ом, 18,5 В-247 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFETST Microelectronics
1180914STW21NM60NDN-канальный 600 В, 0,17 Ом тип., 17, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (ничуть быстро диод) в TO-247 пакетST Microelectronics
1180915STW220NF75N-CHANNEL 75V - 0.004 ОМА - MOSFET СИЛЫ 120A TO-247 STRIPFET IIST Microelectronics
1180916STW22N95K5Автомобильная класса N-канальный 950 В, 0,280 Ом тип., 17,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180917STW22NM60NN-канальный 600 В, 0,2 Ом, 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247ST Microelectronics
1180918STW23N85K5N-канальный 850 В, 0,2 Ом тип., 19 Зенера защищен SuperMESH (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусеST Microelectronics
1180919STW23NM50NN-канальный 500 В, 0,162 Ом, 17, К-247 MDmesh (TM) II на MOSFETST Microelectronics
1180920STW23NM60NDN-канальный 600 В, 0,150 Ом, 19,5, FDmesh II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-247ST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29518 | 29519 | 29520 | 29521 | 29522 | 29523 | 29524 | 29525 | 29526 | 29527 | 29528 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com