Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
268441 | BSP205 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268442 | BSP206 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268443 | BSP20AT1 | SOT.223 ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ ПАКЕТА NPN ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ | Motorola |
268444 | BSP220 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268445 | BSP220 | P-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
268446 | BSP225 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268447 | BSP225 | P-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
268448 | BSP230 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268449 | BSP230 | P-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
268450 | BSP250 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268451 | BSP250 | P-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
268452 | BSP254 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268453 | BSP254A | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268454 | BSP255 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268455 | BSP280 | Транзистор IGBT (течение кабеля скорости
переключателя канала н input mos напряжени
тока-voltage-controlled высокое очень низкое) | Siemens |
268456 | BSP295 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Транзистор
Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
268457 | BSP295 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
268458 | BSP296 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Мал-Signala, 100V, SOT-223, RDSon=0.8 Ом,
1.0A, LL | Infineon |
268459 | BSP296 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
268460 | BSP297 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, 200V, SOT-223, RDSon=2.0 Ом,
0.65ЈA, LL | Infineon |
268461 | BSP297 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
268462 | BSP298 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина режима повышения канала н) | Siemens |
268463 | BSP298 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина уровня логики режима повышения канала
н) | Infineon |
268464 | BSP299 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина режима повышения канала н) | Siemens |
268465 | BSP299 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина уровня логики режима повышения канала
н) | Infineon |
268466 | BSP30 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | SGS Thomson Microelectronics |
268467 | BSP30 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
268468 | BSP30 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | ST Microelectronics |
268469 | BSP300 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина режима повышения канала н) | Siemens |
268470 | BSP300 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина уровня логики режима повышения канала
н) | Infineon |
268471 | BSP304 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268472 | BSP304A | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
268473 | BSP308E6327 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
268474 | BSP308E6433 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
268475 | BSP31 | Транзисторы силы PNP средств от 60 до
100 вольтов | Philips |
268476 | BSP31 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT223 PNP
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
268477 | BSP31 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | SGS Thomson Microelectronics |
268478 | BSP31 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
268479 | BSP31 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | ST Microelectronics |
268480 | BSP31 | 60 В, 1 А PNP средней мощности транзистор | NXP Semiconductors |
| | | |