| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 268961 | BSS8402DW-13-F | Комплементарную пару ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268962 | BSS8402DW-7 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ ПАРЫ | Diodes |
| 268963 | BSS8402DW-7-F | Комплементарную пару ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268964 | BSS8402DWK | Комплементарную пару ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268965 | BSS8402DWQ-13 | Комплементарную пару ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268966 | BSS8402DWQ-7 | Комплементарную пару ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268967 | BSS84AK | 50 В, 180 мА P-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268968 | BSS84AKM | 50 В, 230 мА P-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268969 | BSS84AKMB | 50 В, один P-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268970 | BSS84AKS | 50 В, 160 мА двойного Р-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268971 | BSS84AKT | 50 В, 150 мА P-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268972 | BSS84AKV | 50 В, 170 мА двойного Р-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268973 | BSS84AKW | 50 В, 150 мА P-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268974 | BSS84DW | MOSFETS | Diodes |
| 268975 | BSS84DW-7-F | DUAL P-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268976 | BSS84L | MAmps mosfet 130 силы, 50 вольтов
П-Kanala SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268977 | BSS84LT1 | MAmps mosfet 130 силы, 50 вольтов
П-Kanala SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268978 | BSS84LT1-D | MAmps mosfet 130 силы, 50 вольтов
П-Kanala SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268979 | BSS84LT1G | MAmps mosfet 130 силы, 50 вольтов
П-Kanala SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268980 | BSS84P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, -60V, SOT-23, RDSon = 8 | Infineon |
| 268981 | BSS84P | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268982 | BSS84PW | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, -60V, SOT-323, RDSon = 8 | Infineon |
| 268983 | BSS84V | DUAL P-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ полевого транзистора | Diodes |
| 268984 | BSS84V-7 | DUAL P-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ полевого транзистора | Diodes |
| 268985 | BSS84W | MOSFETS | Diodes |
| 268986 | BSS84W-7-F | P-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ полевого транзистора | Diodes |
| 268987 | BSS87 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268988 | BSS87 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, 240V, SOT-89, RDSon=6.0 Ом,
0.29A, LL | Infineon |
| 268989 | BSS87 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268990 | BSS87 | N-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 268991 | BSS88 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268992 | BSS88 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268993 | BSS88E6288 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268994 | BSS88E6296 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268995 | BSS88E6325 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268996 | BSS88E7740 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268997 | BSS89 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268998 | BSS89 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268999 | BSS89 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 269000 | BSS89E6288 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| | | |
