|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1199 | 1200 | 1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 | 1208 | 1209 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
481212N5955Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
481222N5955Кремния PNP средней мощности транзистор. -70V, 40W.General Electric Solid State
481232N5956Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
481242N5956Кремния PNP средней мощности транзистор. -50 В, 40 Вт.General Electric Solid State
481252N5961Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
481262N5961Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
481272N5961_D27ZGeneral purpose Amplifer NPNFairchild Semiconductor
481282N5962Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
481292N5962Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
481302N5962_D74ZGeneral purpose Amplifer NPNFairchild Semiconductor
481312N5963Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
481322N5971Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481332N5971Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481342N5986КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙMotorola
481352N5987КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙMotorola
481362N5988КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙMotorola
481372N5989КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40.60.80 ВОЛЬТОВ 100 ВАТТMotorola
481382N5989КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙMotorola
481392N5991КРЕМНИЙ 12 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙMotorola
481402N6010Транзисторы КремнияSemiconductor Technology
481412N6027Освинцованный ПОЛОЖЕННЫЙ ТиристорCentral Semiconductor
481422N6027Programmable (ПОЛОЖЕННЫЙ) Транзистор UnijunctionON Semiconductor
481432N6027Программируемый однопереходный транзистор.General Electric Solid State
481442N6027Кремний программируемый однопереходный транзистор, 40V, 150 мАPlaneta
481452N6027-DProgrammable (ПОЛОЖЕННЫЙ) Транзистор UnijunctionON Semiconductor
481462N6027RL1Programmable (ПОЛОЖЕННЫЙ) Транзистор UnijunctionON Semiconductor
481472N6027RLRAProgrammable (ПОЛОЖЕННЫЙ) Транзистор UnijunctionON Semiconductor
481482N6028Освинцованный Тиристор UJTCentral Semiconductor
481492N6028Programmable UJTON Semiconductor
481502N6028Программируемый однопереходный транзистор.General Electric Solid State
481512N6028Кремний программируемый однопереходный транзистор, 40V, 150 мАPlaneta
481522N6028RLRAProgrammable UJTON Semiconductor
481532N6028RLRMProgrammable UJTON Semiconductor
481542N6028RLRPProgrammable UJTON Semiconductor
481552N6029КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯCentral Semiconductor
481562N6030КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯCentral Semiconductor
481572N6030Коллектор-эмиттер / база напряжение: 120Vdc; 16Amp; высоковольтный, мощных транзисторов. Для Высокая мощность аудио усилитель приложениMotorola
481582N6031Транзисторы Высок-Sily Высок-Napr4jeni4 токаON Semiconductor
481592N6031Коллектор-эмиттер / база напряжение: 140Vdc; 16Amp; высоковольтный, мощных транзисторов. Для Высокая мощность аудио усилитель приложениMotorola
481602N6032Блок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1199 | 1200 | 1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 | 1208 | 1209 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com