| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48321 | 2N6080 | V (СВО): 36В; V (генеральный директор): 18V; V (Ebo): 4V; ОВЧ транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
| 48322 | 2N6081 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48323 | 2N6081 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48324 | 2N6081 | V (СВО): 36В; V (генеральный директор): 18V; V (Ebo): 4V; ОВЧ транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
| 48325 | 2N6082 | Транзисторы Силы Rf Кремния NPN | Motorola |
| 48326 | 2N6082 | Транзистор Связей Vhf | ST Microelectronics |
| 48327 | 2N6082 | V (СВО): 36В; V (генеральный директор): 18V; V (Ebo): 4V; ОВЧ транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
| 48328 | 2N6083 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48329 | 2N6083 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48330 | 2N6083 | V (СВО): 36В; V (генеральный директор): 18V; V (Ebo): 4V; ОВЧ транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
| 48331 | 2N6084 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48332 | 2N6084 | ТРАНЗИСТОРЫ RF & МИКРОВОЛНЫ 130...
ПРИМЕНЕНИЙ МОДУЛЯ 230 МЕГАЦИКЛОВ FM | Microsemi |
| 48333 | 2N6084 | V (СВО): 36В; V (генеральный директор): 18V; V (Ebo): 4V; ОВЧ транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
| 48334 | 2N6099 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48335 | 2N6101 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48336 | 2N6101 | 75.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 10.000A Ic, 20 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48337 | 2N6103 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48338 | 2N6106 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48339 | 2N6106 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V. | General Electric Solid State |
| 48340 | 2N6107 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 48341 | 2N6107 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48342 | 2N6107 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48343 | 2N6107 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48344 | 2N6107 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48345 | 2N6107 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48346 | 2N6107 | Сила 7A 70V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48347 | 2N6107 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48348 | 2N6107 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V. | General Electric Solid State |
| 48349 | 2N6107 | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
| 48350 | 2N6107-D | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | ON Semiconductor |
| 48351 | 2N6108 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48352 | 2N6108 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V. | General Electric Solid State |
| 48353 | 2N6109 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48354 | 2N6109 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48355 | 2N6109 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48356 | 2N6109 | Сила 7A 50V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48357 | 2N6109 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 7.000A Ic, 30 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48358 | 2N6109 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V. | General Electric Solid State |
| 48359 | 2N6110 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48360 | 2N6110 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -40V. | General Electric Solid State |
| | | |
