| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48401 | 2N6126 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48402 | 2N6126 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V. | General Electric Solid State |
| 48403 | 2N6129 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48404 | 2N6130 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48405 | 2N6131 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48406 | 2N6132 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48407 | 2N6133 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48408 | 2N6134 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48409 | 2N6137 | Воинское Плоскостное TO-18 Герметичное | Unitrode |
| 48410 | 2N6137 | Воинское Плоскостное TO-18 Герметичное | Unitrode |
| 48411 | 2N6145 | ТИРИСТОРЫ ТРИОДА КРЕМНИЯ BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48412 | 2N6146 | ТИРИСТОРЫ ТРИОДА КРЕМНИЯ BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48413 | 2N6147 | ТИРИСТОРЫ ТРИОДА КРЕМНИЯ BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48414 | 2N6153 | Двухнаправленный Тиристор Триода (ТРИАК) | Semitronics |
| 48415 | 2N6166 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
| 48416 | 2N6171 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 48417 | 2N6172 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 48418 | 2N6173 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 48419 | 2N6174 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 48420 | 2N6188 | 100 В, 10 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 48421 | 2N6189 | 100 В, 10 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 48422 | 2N6190 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48423 | 2N6190 | Полярность PNP Геометрии 9700 Типа
2C6193 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 48424 | 2N6191 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48425 | 2N6191 | Полярность PNP Геометрии 9700 Типа
2C6193 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 48426 | 2N6192 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48427 | 2N6192 | Полярность PNP Геометрии 9700 Типа
2C6193 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 48428 | 2N6192 | 100 V, 5 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 48429 | 2N6193 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 48430 | 2N6193 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48431 | 2N6193 | Полярность PNP Геометрии 9700 Типа
2C6193 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 48432 | 2N6193 | 100 V, 5 скоростной PNP транзистор | Solid State Devices Inc |
| 48433 | 2N6198 | 12 Вт, 28 В, 100-200 МГц, УКВ связи | Acrian |
| 48434 | 2N6199 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
| 48435 | 2N6199 | 25 Вт, 28 В, 100-200 МГц, УКВ связи | Acrian |
| 48436 | 2N6200 | B40-28 40 ВАТТ - 28 ВОЛЬТОВ
100-200 МЕГАЦИКЛ | Acrian |
| 48437 | 2N6200 | B40-28 40 ВАТТ - 28 ВОЛЬТОВ
100-200 МЕГАЦИКЛ | Acrian |
| 48438 | 2N6211 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 48439 | 2N6211 | СИЛА TRANSISTORS(2ЈA, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48440 | 2N6211 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ MEDIUM-POWER ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| | | |
