|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1459 | 1460 | 1461 | 1462 | 1463 | 1464 | 1465 | 1466 | 1467 | 1468 | 1469 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
585212SD467Кремний NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
585222SD467Transistors>Amplifiers/BipolarRenesas
585232SD468Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
585242SD468Кремний NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
585252SD468Transistors>Amplifiers/BipolarRenesas
585262SD471ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯMicro Electronics
585272SD471AПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯUSHA India LTD
585282SD471AПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯUSHA India LTD
585292SD476Transistors>Switching/BipolarRenesas
585302SD476Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
585312SD476(K)Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
585322SD476ATransistors>Switching/BipolarRenesas
585332SD476AПрименения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
585342SD476A(K)Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
585352SD476AKПрименения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
585362SD476KПрименения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
585372SD5041Транзистор. Выходной усилитель AF для электронной вспышки. Напряжения коллектор-база VCBO = 40В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 20В. ЭUSHA India LTD
585382SD510ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙUnknow
585392SD510ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙUnknow
585402SD510SТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙUnknow
585412SD510SТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙUnknow
585422SD525СИЛА AMPLIFIER(NPN НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ)Wing Shing Computer Components
585432SD525Мощный транзистор для работы при низких частотTOSHIBA
585442SD526Применения Усилителя Силы Типа Кремния NPN Транзистора Втройне ОтраженныеTOSHIBA
585452SD526СИЛА TRANSISTORS(4ЈA, 80v, 30w)MOSPEC Semiconductor
585462SD526УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(LOW NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ)Wing Shing Computer Components
585472SD545ДЛЯ СИЛЫ АМПЕРА ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ, КОНВЕРТЕРЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЕВОДЫSANYO
585482SD545Средств усилители и переключатели силыUnknow
585492SD545ДЛЯ СИЛЫ АМПЕРА ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ, КОНВЕРТЕРЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЕВОДЫSANYO
585502SD545Средств усилители и переключатели силыUnknow
585512SD553ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ. ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ. ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫTOSHIBA
585522SD560Транзистор силы кремнияNEC
585532SD560ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ DARLINGTON (5 АМПЕРОВ 100 ВОЛЬТОВ)Fujitsu Microelectronics
585542SD5612ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ DEFECTION ВЫВЕЛ НАРУЖУ ДЛЯ QVETNOGO ТВTOSHIBA
585552SD5612ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ DEFECTION ВЫВЕЛ НАРУЖУ ДЛЯ QVETNOGO ТВTOSHIBA
585562SD570Транзисторы СилыMicro Electronics
585572SD571ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNNEC
585582SD575Для горизонтальной пользы выхода отклонения qvetnogo ТВUnknow
585592SD575Для горизонтальной пользы выхода отклонения qvetnogo ТВUnknow
585602SD58280~100W ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ампер, пара ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ комплементарная с 2SB612/AUnknow
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1459 | 1460 | 1461 | 1462 | 1463 | 1464 | 1465 | 1466 | 1467 | 1468 | 1469 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com