| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 58601 | 2SD640 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ DIFFUSEO | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ MEGA | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ MEGA | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ MEGA | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ MEGA | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN тройной рассеянный распределительную Mesa. Горизонтальный выход отклонение линии управлением. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Type(For planer кремния NPN амплификация
эпитаксиального низкочастотная и малошумная) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Type(For planer кремния PNP амплификация
эпитаксиального низкочастотная и малошумная) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Type(For planer кремния PNP амплификация
эпитаксиального низкочастотная и малошумная) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Type(For planer кремния NPN амплификация
эпитаксиального низкочастотная и малошумная) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD673ЈA | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD673ЈA | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | КРЕМНИЙ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС PCT) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | КРЕМНИЙ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС PCT) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN рассеянный распределительную Mesa. Высокая усилитель мощности. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN рассеянный распределительную Mesa. Высокая усилитель мощности. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN тройной рассеянный Mesa. Высокая коммутационная мощность. | Panasonic |
| | | |
