Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
610521 | KM416RD8AD-RK80 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
610522 | KM416RD8AS | Сразу RDRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
610523 | KM416RD8AS-RBM80 | 128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета
едока | Samsung Electronic |
610524 | KM416RD8AS-RM80 | 256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
610525 | KM416RD8AS-SCM80 | 128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов
2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета
едока | Samsung Electronic |
610526 | KM416RD8AS-SM80 | 256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
610527 | KM416RD8C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610528 | KM416RD8D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610529 | KM416S1120D | 512K х 16bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | etc |
610530 | KM416S1120DT-G/F10 | 512K х 16bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | etc |
610531 | KM416S1120DT-G/F7 | 512K х 16bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | etc |
610532 | KM416S1120DT-G/F8 | 512K х 16bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | etc |
610533 | KM416S1120DT-G/FC | 512K х 16bit x DRAM LVTTL 2
кренов одновременный | etc |
610534 | KM416S4030C | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610535 | KM416S4030CT-F10 | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610536 | KM416S4030CT-F7 | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610537 | KM416S4030CT-F8 | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610538 | KM416S4030CT-FH | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610539 | KM416S4030CT-FL | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610540 | KM416S4030CT-G | 1M x 16Bit x DRAM LVTTL
4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610541 | KM416S4030CT-G7 | 64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 143 МГц | Samsung Electronic |
610542 | KM416S4030CT-G8 | 64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 125МГц | Samsung Electronic |
610543 | KM416S4030CT-GH | 64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГц | Samsung Electronic |
610544 | KM416S4030CT-GL | 64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГц | Samsung Electronic |
610545 | KM416S4030CT-L10 | 64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГц | Samsung Electronic |
610546 | KM416S8030 | 2M х 16Bit x DRAM 4 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
610547 | KM416S8030B | 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
610548 | KM416S8030BT-G/F10 | 128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610549 | KM416S8030BT-G/F8 | 128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610550 | KM416S8030BT-G/FA | 128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610551 | KM416S8030BT-G/FH | 128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610552 | KM416S8030BT-G/FL | 128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
610553 | KM416S8030T-G/F10 | 2M х 16Bit x DRAM 4 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
610554 | KM416S8030T-G/F8 | 2M х 16Bit x DRAM 4 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
610555 | KM416S8030T-G/FH | 2M х 16Bit x DRAM 4 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
610556 | KM416S8030T-G/FL | 2M х 16Bit x DRAM 4 кренов
одновременный | Samsung Electronic |
610557 | KM416V1000B | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
610558 | KM416V1000BJ-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
610559 | KM416V1000BJ-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
610560 | KM416V1000BJ-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
| | | |