|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610521KM416RD8AD-RK80256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
610522KM416RD8ASСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
610523KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета едокаSamsung Electronic
610524KM416RD8AS-RM80256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
610525KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета едокаSamsung Electronic
610526KM416RD8AS-SM80256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
610527KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
610528KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
610529KM416S1120D512K х 16bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйetc
610530KM416S1120DT-G/F10512K х 16bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйetc
610531KM416S1120DT-G/F7512K х 16bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйetc
610532KM416S1120DT-G/F8512K х 16bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйetc
610533KM416S1120DT-G/FC512K х 16bit x DRAM LVTTL 2 кренов одновременныйetc
610534KM416S4030C1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610535KM416S4030CT-F101M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610536KM416S4030CT-F71M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610537KM416S4030CT-F81M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610538KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610539KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610540KM416S4030CT-G1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610541KM416S4030CT-G764 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 143 МГцSamsung Electronic
610542KM416S4030CT-G864 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 125МГцSamsung Electronic
610543KM416S4030CT-GH64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
610544KM416S4030CT-GL64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
610545KM416S4030CT-L1064 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
610546KM416S80302M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610547KM416S8030B2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610548KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610549KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610550KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610551KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610552KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610553KM416S8030T-G/F102M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610554KM416S8030T-G/F82M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610555KM416S8030T-G/FH2M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610556KM416S8030T-G/FL2M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
610557KM416V1000BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610558KM416V1000BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610559KM416V1000BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610560KM416V1000BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com