|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22799 | 22800 | 22801 | 22802 | 22803 | 22804 | 22805 | 22806 | 22807 | 22808 | 22809 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
912121MTD2955VПроникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912122MTD2955VРежим Повышение P-канальный полевой транзистор [Жизнь времени покупка]Fairchild Semiconductor
912123MTD2955V-DMosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912124MTD2955V1Проникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912125MTD2955V1GПроникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912126MTD2955VGПроникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912127MTD2955VT4Проникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912128MTD2955VT4GПроникните к имеющемуся NTD2955 - теперьON Semiconductor
912129MTD2N40EFet СИЛЫ TMOS 2.0 АМПЕРА 400 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 3.5 ОМАMotorola
912130MTD2N40EМощность MOSFET 2 А, 400 ВольтON Semiconductor
912131MTD2N40E-DMosfet Силы 2 Ампера, 400 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912132MTD2N50EFet СИЛЫ TMOS 2.0 АМПЕРА 500 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 3.6 ОМАMotorola
912133MTD2N50EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 2 Усилители, 500 ВольтON Semiconductor
912134MTD2N50E-DMosfet Силы 2 Ампера, 500 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912135MTD3010PMОбработчик Сигнала Диода ФотоегоMarktech Optoelectronics
912136MTD3055ETMOS мощности на полевых транзисторах. 60 V, 8, RDS (на) 0,15 Ом.Motorola
912137MTD3055E1TMOS мощности на полевых транзисторах. 60 V, 8, RDS (на) 0,15 Ом.Motorola
912138MTD3055ELСтроб Кремния Повышени-Rejima Трансистор(Н-Kanala Влияния Поля Силы TMOS IV)Motorola
912139MTD3055EL1TMOS мощность MOSFET логический уровень. 60 V, 10, RDS (на) 0,18 Ом.Motorola
912140MTD3055VТранзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-KanalaFairchild Semiconductor
912141MTD3055VFet СИЛЫ TMOS 12 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.15 ОМАMotorola
912142MTD3055VМощность MOSFET 12 Ампер, 60 Вольт N-канал DPAKON Semiconductor
912143MTD3055V-DMosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912144MTD3055V1Mosfet 12ЈAmps Силы, 60 ВольтовON Semiconductor
912145MTD3055VLТранзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики Н-KanalaFairchild Semiconductor
912146MTD3055VLFet СИЛЫ TMOS 12 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.18 ОМАMotorola
912147MTD3055VLМощность MOSFET 12 Ампер, 60 ВольтON Semiconductor
912148MTD3055VL-DMosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912149MTD3055VL1Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal DPAK Логики РовныйON Semiconductor
912150MTD3055VLT4Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal DPAK Логики РовныйON Semiconductor
912151MTD3055VT4Mosfet 12ЈAmps Силы, 60 ВольтовON Semiconductor
912152MTD3302ОДИНОЧНЫЙ mosfet СИЛЫ TMOS 30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = mohm 10Motorola
912153MTD3302OBOSLETE - ЗАМЕНА P / N # - NTD4302ON Semiconductor
912154MTD3302-DMosfet Силы 18 Амперов, 30 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912155MTD392NКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
912156MTD392VКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
912157MTD393NКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
912158MTD393VКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
912159MTD394NКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
912160MTD394VКоаксиальная интерфейс трансивераMYSON TECHNOLOGY
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22799 | 22800 | 22801 | 22802 | 22803 | 22804 | 22805 | 22806 | 22807 | 22808 | 22809 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com