Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
101 | 2SC945 | Транзистор. Усилитель звуковой частоты высокой частоты OSC. Напряжения коллектор-база VCBO = 60В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 50В. | USHA India LTD |
102 | 2SD1616 | Транзистор для усилителя мощности звуковой частоты | USHA India LTD |
103 | 2SD1616A | Транзистор. Аудио частота усилителя мощности коммутации средней скорости. Напряжения коллектор-база VCBO = 120В. Напряжение коллекто | USHA India LTD |
104 | 2SD227 | Транзистор. Низкий усилитель промышленной частоты. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер | USHA India LTD |
105 | 2SD261 | ПАРА КОМПЛЕКТА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ С
2SB1103 И 2SB1104 | USHA India LTD |
106 | 2SD261 | ПАРА КОМПЛЕКТА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ С
2SB1103 И 2SB1104 | USHA India LTD |
107 | 2SD313 | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для усилителя мощности низкой частоты. VCEO = 60В, постоянный ток усиления: 40 @ Ic | USHA India LTD |
108 | 2SD471A | ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ
УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯ | USHA India LTD |
109 | 2SD471A | ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ
УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯ | USHA India LTD |
110 | 2SD5041 | Транзистор. Выходной усилитель AF для электронной вспышки. Напряжения коллектор-база VCBO = 40В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 20В. Э | USHA India LTD |
111 | 2SD880Y | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для усилителя мощности низкой частоты. VCEO = 60В, постоянный ток усиления: 20 @ Ic | USHA India LTD |
112 | BC237 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 50В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 45В. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
113 | BC238 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
114 | BC239 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
115 | BC307 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -50 В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -45V. Эмиттер-ба | USHA India LTD |
116 | BC308 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -30V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -25V. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
117 | BC309 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -30V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -25V. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
118 | BC327 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -50 В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -45V. Эмиттер-ба | USHA India LTD |
119 | BC328 | Транзистор. Переключить. и усилитель. приложения. Подходит для этапах AF-водителя и выходной мощности. VCES = -30V, VCEO = -25V, VEBO = -5. Рассеива | USHA India LTD |
120 | BC337 | Транзистор. Коммутация и ampplifier приложения. Подходит для stagees AF-драйверов и мощности выходных каскадов. Коллектор-база VCBO = 50В. Колле | USHA India LTD |
121 | BC338 | Транзистор. Коммутация и ampplifier приложения. Подходит для stagees AF-драйверов и мощности выходных каскадов. VCES = 30В, VCEO = 25В, VEBO = 5В, ПК = 625mW, | USHA India LTD |
122 | BC549 | Транзистор. Коммутация и AF ampplifier. Низкий уровень шума. VCBO = 30В, VCEO = 30В, VEBO = 5В, ПК = 500 мВт, Ic = 100 мА. | USHA India LTD |
123 | BC550 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Низкий уровень шума. VCBO = 50В, VCEO = 45В, VEBO = 5В, ПК = 500 мВт, Ic = 100 мА. | USHA India LTD |
124 | BC556 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -80V, VCEO = -65V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
125 | BC557 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -50 В, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
126 | BC558 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -30V, VCEO = -30V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
127 | BC559 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -30V, VCEO = -30V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
128 | BC560 | Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -50 В, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
129 | BC635 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = 45В, VCES = 45В, VCEO = 45В, VEBO = 5В, ПК = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
130 | BC636 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -45V, VCES = -45V, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
131 | BC637 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = 60В, VCES = 60В, VCEO = 60В, VEBO = 5В, ПК = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
132 | BC638 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -60V, VCES = -60V, VCEO = -60V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
133 | BC640 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -100V, VCES = -100V, VCEO = -80V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
134 | BD241A | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
135 | BD241B | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
136 | BD241C | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
137 | BD242A | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
138 | BD242B | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
139 | BD242C | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
140 | BD243A | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
141 | BD243B | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
142 | BD243C | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
143 | BD244A | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
144 | BD244B | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
145 | BD244C | PNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
146 | BU204 | NPN кремния мощный транзистор. Горизонтальные выходные отклонение этапы большой цветной экран отклонения контуров. 2.5Amp, 1300V, 36Watt. | USHA India LTD |
147 | BU205 | NPN, горизонтального отклонения транзистор. Предназначен для использования в большой цветной экран отклонения схем. VCEO = 700Vdc, Vcex = 1500 | USHA India LTD |
148 | BU208 | NPN кремния мощный транзистор. Горизонтальные выходные отклонение этапы большой цветной экран отклонения контуров. 5Amp, 1300V, 12.5Watt. | USHA India LTD |
149 | BU208A | NPN, горизонтального отклонения транзистор. Предназначен для использования в телевизорах. VCEO = 700Vdc, Vcex = 1500 В постоянного тока, Вэб = 5 | USHA India LTD |
150 | BU208D | NPN, горизонтальное отклонение транзистор со встроенным демпфером диода. VCEO = 700Vdc, VCES = 1500 В постоянного тока, Вэб = 5В, Ic = 5Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| | | |