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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
20001STB6LNC60Transistor MOSFET de l'cOhm 5.Å D2PAK POWERMESH II Du N-canal 600V 1SGS Thomson Microelectronics
20002STB6NA60N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20003STB6NA60VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20004STB6NA80N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20005STB6NA80VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20006STB6NB50N - la MANCHE 500V - 1,35 Ohms - 5.Å - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20007STB6NB90N - la MANCHE 900V - 1,7 Ohms - 5.Å - Transistor MOSFET De D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20008STB6NC60-1N-canal 600V 1,0 OHMS - Ã - Transistor MOSFET de la MAILLE II de PUISSANCE De To-220/to220fp/i2pakSGS Thomson Microelectronics
20009STB6NC80Z-1Le N-canal 800V 1.öhm 5. To-220/to-220fp/i2pak/Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20010STB6NC90Z-1l'cOhm 5. To-220/to-200fp/i2pak Du N-canal 900V 1,55 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20011STB6NK60Zl'cOhm à To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 600V 1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20012STB7001900 NIVEAU LNA DE GAIN DE MÉGAHERTZ TROISSGS Thomson Microelectronics
20013STB70021,8 NIVEAU LNA DE GAIN DE GIGAHERTZ TROISSGS Thomson Microelectronics
20014STB7002TR1,8 GHZ TROIS GAIN LNA LEVELSGS Thomson Microelectronics
20015STB7003Tri-bande GSM/dcs/pcs LNASGS Thomson Microelectronics
20016STB70NF02LN-canal 20V - 0,006 W - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20017STB70NF02LN-canal 20V - 0,006 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20018STB70NF03LN - la MANCHE 30V - 0,008 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20019STB70NF03LN-canal 30V - 0,008 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20020STB70NF03L-1N-canal 30V - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 0,008 OHMS -70A To-220/i2pakSGS Thomson Microelectronics
20021STB70NF3LLN-canal 30V - 0,008 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20022STB70NF3LLN-canal 30V - 0,008 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20023STB70NFS03LN - la MANCHE 30V - 0,008 Ohms - Transistor MOSFET De 70A D 2 PAK STripFET PLUS LE REDRESSEUR de SCHOTTKYSGS Thomson Microelectronics
20024STB70NFS03LN-canal 30V - 0,008 OHMS - Transistor MOSFET De 70A D2PAK STRIPFET PLUS LE REDRESSEUR de SCHOTTKYSGS Thomson Microelectronics
20025STB7101LARGE AMPLIFICATEUR De Pré-alimentation de la BANDE 0.9/1.9ghzSGS Thomson Microelectronics
20026STB7101TR0,9 / 1,9 GHz bande large PRE-AMPLIFICATEUR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
20027STB71020,5/2,5 AMPLIFICATEUR À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmortisseur DE GIGAHERTZ BASSGS Thomson Microelectronics
20028STB7102TR0,1 / 2,5 GHz SI MMIC AMPLIFIER TAMPONSGS Thomson Microelectronics
20029STB71030,1 / 2,5 GHz SI MMIC AMPLIFIER TAMPONSGS Thomson Microelectronics
20030STB71040,1 / 2,5 GHz SI MMIC AMPLIFIER TAMPONSGS Thomson Microelectronics
20031STB75NE75N - la MANCHE 75V - 0,01 Ohms - 7Ä - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20032STB75NF75N-canal 75V - 0,01 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20033STB75NF75-1N-canal 75V - 0,01 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20034STB75NF75LN-canal 75V - 0,009 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20035STB75NF75L-1N-canal 75V - 0,009 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20036STB7NA40VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20037STB7NA40N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20038STB7NB40N - Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20039STB7NB60N - la MANCHE 600V - 1,0 OMH - 7.À - Transistor MOSFET De I 2 PAK/d 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20040STB7NC70Z-1Le N-canal 700V 1.1ohm à To-220 To-220fp I2PAK ZENER A PROTÉGÉ LE Transistor MOSFET de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20041STB80NE03L-06N - la MANCHE 30V - 0.005W - 80A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20042STB80NE06-10N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20043STB80NF03L-04N-canal 30V - 0,0035 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-262/to-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20044STB80NF03L-04N-canal 30V - 0,0035 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20045STB80NF03L-04-1N-canal 30V - 0,0035 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20046STB80NF10N-canal 100V - 0,012 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 80A I2PAK/d2pakSGS Thomson Microelectronics
20047STB80NF10N - la MANCHE 100V - 0.01Ôhm - 80A I 2 BAS Qg STripFET Transistor MOSFET de PUISSANCE de PAK/d 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20048STB80NF55-06N - la MANCHE 55V - 0,005 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-262/to-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20049STB80NF55-06Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A D2PAK STRIPFET II Du N-canal 55V 0,005SGS Thomson Microelectronics
20050STB80NF55-06N-canal 55V - 0,005 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-262 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20051STB80NF55-06-1Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET II Du N-canal 55V 0,005SGS Thomson Microelectronics
20052STB80NF55-06-1N-canal 55V - 0,005 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20053STB80NF55-08N-canal 55V - 0,0065 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20054STB80NF55-08N-canal 55V - 0,0065 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE de 8OA D2PAK/i2pak STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20055STB80NF55-08-1N-canal 55V - 0,0065 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20056STB80NF55L-06N - la MANCHE 55V - 0,005 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20057STB80NF75LTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A D2PAK STRIPFET Du N-canal 75V 0,008SGS Thomson Microelectronics
20058STB80NF75LN-canal 75V - 0,008 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20059STB80NF75L-1N-canal 75V - 0,008 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20060STB80PF55P-canal 55V - 0,016 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20061STB85NF3LLTransistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 8Ä D2PAK Du N-canal 30V 0,006 BASSGS Thomson Microelectronics
20062STB85NF3LL-1Transistor MOSFET de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 8Ä To-220/i2pak Du N-canal 30V 0,006 BASSGS Thomson Microelectronics
20063STB85NF55N-canal 55V - 0,0062 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20064STB85NF55LN-canal 55V - 0,0060 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A D2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20065STB8NA50VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20066STB8NA50N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20067STB8NC50Transistor MOSFET de l'cOhm Å D2PAK POWERMESH II Du N-canal 500V 0,7SGS Thomson Microelectronics
20068STB8NC50-1N-canal 500V - 0,7 OHMS - Transistor MOSFET De Å To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics



20069STB8NC70Z-1l'cOhm 6.Å To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 700V 0,90 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20070STB8NS25Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm Å D2PAK Du N-canal 250V 0,38SGS Thomson Microelectronics
20071STB90NF03LTransistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 90A D2PAK Du N-canal 30V 0,0056 BASSGS Thomson Microelectronics
20072STB90NF03L-1Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 90A To-220/i2pak Du N-canal 30V 0,0056 BASSGS Thomson Microelectronics
20073STB9NB50N-canal 500V - 0,75 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 8.Ã D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20074STB9NB50N - Transistor MOSFET de MAILLE De Puissance de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20075STB9NB60N - la MANCHE 600V - Transistor MOSFET De 0.7Ohm -9a-i 2 PAK/d 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20076STB9NC60N - la MANCHE 600V - Transistor MOSFET De 0.Öhm -9A D 2 PAK/i 2 PAK PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
20077STB9NK50Zl'cOhm To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 500V 0,72 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20078STBR406PONT DE LA RECTIFICATION 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20079STBR408PONT DE LA RECTIFICATION 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20080STBR606PONT DE LA RECTIFICATION 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20081STBR608PONT DE LA RECTIFICATION 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20082STBV32TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
20083STBV32TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
20084STBV42TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
20085STBV45TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
20086STBV68TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
20087STC5NF20VN-canal 20V - 0.030 OHM - Transistor MOSFET de PUISSANCE De Ä TSSOP8 2.7v-drive STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20088STC6NF30VN-canal 30V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De à TSSOP8 2.5v-drive STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20089STD100NH02LN-canal 24V - 0,0042 Ohm - 60A DPAK / IPAK STripFET III PUISSANCE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20090STD10NF06LTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 10A DPAK STRIPFET II Du N-canal 60V 0,1SGS Thomson Microelectronics
20091STD10NF10N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Á IPAK/dpakSGS Thomson Microelectronics
20092STD10PF06P - la MANCHE 60V - 0,18 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A To-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20093STD10PF06P-canal 60V - 0,18 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A IPAK/dpak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20094STD110NH02LN-canal 24V - 0,0044 Ohm - 80A DPAK STripFET III PUISSANCE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20095STD12N05VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20096STD12N05N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
20097STD12N05LVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20098STD12N05LN - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BASSGS Thomson Microelectronics
20099STD12N06VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
20100STD12N06N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics

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