| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 20101 | STD12N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 20102 | STD12N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20103 | STD12N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20104 | STD12N10L | N - la MANCHE 100V - 0,12 Ohms - BAS TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE de SEUIL Du 1À To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20105 | STD12NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,08 Ohms - 1À - IPAK/dpak CHOISISSENT LE Transistor MOSFET de PUISSANCE de TAILLE de DISPOSITIF | SGS Thomson Microelectronics |
| 20106 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20107 | STD12NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,09 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20108 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20109 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20110 | STD13003 | TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20111 | STD150NH02L | N-canal 24V - 150A MOSFET CLIPPAK / IPAK STripFET III pour la conversion CC-CC - 0,0033 OHM | SGS Thomson Microelectronics |
| 20112 | STD15N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20113 | STD15N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20114 | STD15N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20115 | STD15N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 20116 | STD15NF10 | N-canal 100V - 0,060 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Á DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20117 | STD15NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Óhm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE Du 1Ä To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20118 | STD16NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK/ipak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20119 | STD16NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20120 | STD16NE06L-1 | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251 STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20121 | STD16NE10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - 1Ã - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20122 | STD16NE10L | N - la MANCHE 100V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20123 | STD17N05 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20124 | STD17N05 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20125 | STD17N05L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20126 | STD17N05L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 20127 | STD17N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20128 | STD17N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20129 | STD17N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 20130 | STD17N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20131 | STD17NE03L | N - la MANCHE 30V - 0.03Ôhms - 17A - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK/ipak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20132 | STD17NF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 17A DPAK/ipak STRIFET Du N-canal 30V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20133 | STD17NF03L-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 17A DPAK/ipak STRIFET Du N-canal 30V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20134 | STD19NE06 | N-canal 60V - 0,042 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 19A IPAK/dpak STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20135 | STD19NE06L | N-canal 60V - 0,038 OHMS - 19A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251/to-252 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20136 | STD19NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,038 Ohms - 19A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20137 | STD1HNC60 | N-canal 600V 4 Transistor MOSFET De À DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20138 | STD1HNC60-1 | N-canal 600V 4 Transistor MOSFET De À DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20139 | STD1LNC60 | N-canal 600V 12 Transistor MOSFET Du 1A DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20140 | STD1LNC60-1 | N-canal 600V 12 Transistor MOSFET Du 1A DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20141 | STD1NA60 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20142 | STD1NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20143 | STD1NB50 | N - la MANCHE 500V - 7.Öhm - Transistor MOSFET De 1. IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20144 | STD1NB60 | N - la MANCHE 600V - 7.Ôhm - 1A - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20145 | STD1NB80 | N - la MANCHE 800V - 16 Ohms - 1A - Transistor MOSFET de DPAK/ipak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20146 | STD1NB80-1 | N - la MANCHE 800V - 16 Ohms - 1A - Transistor MOSFET d'cIpak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20147 | STD1NC40-1 | N - la MANCHE 400V - 8Ohm - 1A - Transistor MOSFET d'cIpak PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20148 | STD1NC60 | Transistor MOSFET de l'cOhm 1. DPAK/ipak POWERMESH II Du N-canal 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20149 | STD1NC70Z | l'cOhm 1. To-220/to-220fp/dpak/ipak Du N-canal 700V 7,3 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20150 | STD1NC70Z-1 | l'cOhm 1. To-220/to-220fp/dpak/ipak Du N-canal 700V 7,3 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20151 | STD20NE03L | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 20152 | STD20NE03L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20153 | STD20NE06 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20154 | STD20NF10 | N-canal 100V - 0,038 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 30A IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 20155 | STD25NE03L | N - la MANCHE 30V - 0,019 Ohms - 2Ä - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20156 | STD25NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 2Ä DPAK Du N-canal 100V 0,033 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 20157 | STD29NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,018 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 29A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20158 | STD29NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 29A IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 20159 | STD2N50 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20160 | STD2N50-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20161 | STD2NA50 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20162 | STD2NA50-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20163 | STD2NA50T4 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20164 | STD2NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20165 | STD2NA60 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20166 | STD2NB25 | N - la MANCHE 250V - 1.7Ohm - À - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20167 | STD2NB40 | N - la MANCHE 400V - 3.Öhm - À - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20168 | STD2NB60 | N - Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20169 | STD2NB80 | N - la MANCHE 800V - 4,6 Ohms - 1.9A - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20170 | STD2NC40-1 | N-canal 400V - 4.7Ohm - Transistor MOSFET De 1.Ä IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20171 | STD2NC40-1 | N-canal 400V - 4.7Ohm - Transistor MOSFET De 1.Ä IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20172 | STD2NC40-1 | Transistor MOSFET de l'cOhm 1.Ä IPAK POWERMESH II Du N-canal 400V 4,7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20173 | STD2NC50 | Transistor MOSFET Du N-canal 500V ÓHM 2.À DPAK/ipak POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20174 | STD2NC50-1 | Transistor MOSFET Du N-canal 500V ÓHM 2.À DPAK/ipak POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20175 | STD2NC60 | N-canal 600V 3,3 Transistor MOSFET De À DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20176 | STD2NC60-1 | N-canal 600V 3,3 Transistor MOSFET De À DPAK/ipak POWERMESH II d'cOhm | SGS Thomson Microelectronics |
| 20177 | STD2NC70Z | l'cOhm 2.Á DPAK/ipak Du N-canal 700V 4,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20178 | STD2NC70Z-1 | l'cOhm 2.Á DPAK/ipak Du N-canal 700V 4,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20179 | STD2NM60 | l'cOhm À DPAK/ipak Du N-canal 600V 2,8 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20180 | STD2NM60-1 | l'cOhm À DPAK/ipak Du N-canal 600V 2,8 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20181 | STD30NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,025 Ohms - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20182 | STD30NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,025 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20183 | STD30NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,020 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20184 | STD30NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A DPAK/ipak STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20185 | STD30NF06 | N-canal 60V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2Å IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20186 | STD30NF06L | OHM 3Ä DPAK Du N-canal 60V 0,022/Transistor MOSFET PUISSANCE d'cIpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20187 | STD30PF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2Â DPAK/ipak STRIPFET II Du P-canal 30V 0,025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20188 | STD30PF03L-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2Â DPAK/ipak STRIPFET II Du P-canal 30V 0,025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20189 | STD35NF06 | OHM 5Ä - DPAK Du N-canal 60V 0,018 - Transistor MOSFET de PUISSANCE de STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20190 | STD35NF06L | Transistor MOSFET de l'cOhm 3Ä DPAK STRIPFET II Du N-canal 60V 0,014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20191 | STD35NF3LL | N-canal 30V - 0,014 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 3Ä IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20192 | STD35NF3LL-1 | N-canal 30V - 0,014 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 3Ä IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20193 | STD38NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,013 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 3Å To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20194 | STD38NF03L | N-canal 30V - 0,011 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 3Å DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20195 | STD3N25 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20196 | STD3N25 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20197 | STD3N30 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20198 | STD3N30-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 20199 | STD3N30L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 20200 | STD3N30L-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
