| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 5401 | Q62702-B403 | Diode variable de capacité de silicium (pour tuners de Hyperband TV/vtr, Bd I) | Siemens |
| 5402 | Q62702-B404 | Diode variable de capacité de silicium (pour les tuners par radio de FM avec le rapport d'accord élevé prolongé de bande de fréquence à basse tension d'alimentation (radio de voiture) | Siemens |
| 5403 | Q62702-B478 | Diode variable de capacité de silicium (chaîne de fréquence jusqu'à 2 gigahertz; conception spéciale pour l'usage dans les unités d'intérieur TV-reposées) | Siemens |
| 5404 | Q62702-B479 | Diode variable de capacité de silicium (pour chaîne d'accord indiquée par applications d'accord de AM 1 ¦ 8 V) | Siemens |
| 5405 | Q62702-B499 | Diode variable de capacité de silicium (pour des applications de circuit accordées par VHF) | Siemens |
| 5406 | Q62702-B570 | Diode variable de capacité de silicium (pour l'accord des bandes de fréquence prolongées dans des tuners de VHF TV/vtr) | Siemens |
| 5407 | Q62702-B577 | Diode variable de capacité de silicium (pour le chiffre élevé accordé par VHF d'applications de circuit du mérite) | Siemens |
| 5408 | Q62702-B580 | Diode variable de capacité de silicium (grand rapport de capacité pour de fréquence ultra-haute et de TV/tr tuners, basses séries de résistance) | Siemens |
| 5409 | Q62702-B583 | Diode d'accord de silicium (pour grand rapport de capacité accorder de fréquence ultra-haute et de VHF TV tuners, basses séries de résistance) | Siemens |
| 5410 | Q62702-B586 | Diode variable de capacité de silicium (pour l'accord des bandes de fréquence prolongées dans des tuners de VHF TV/vtr) | Siemens |
| 5411 | Q62702-B589 | Diode variable de capacité de silicium (pour tuners de Hyperband TV/vtr, Bd I) | Siemens |
| 5412 | Q62702-B592 | Diode variable de capacité de silicium (chaîne de fréquence jusqu'à la conception spéciale de 2 gigahertz pour l'usage dans les unités d'intérieur TV-reposées) | Siemens |
| 5413 | Q62702-B599 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 5414 | Q62702-B607 | Diode variable de capacité de silicium (résistance de série de grand rapport de capacité pour de fréquence ultra-haute et de VHF TV/vtr tuners basse) | Siemens |
| 5415 | Q62702-B62 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 5416 | Q62702-B62 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 5417 | Q62702-B628 | Diode d'accord de silicium (gamme de fréquence d'Extented jusqu'à 2,5 gigahertz; conception spéciale pour l'usage dans les unités d'intérieur TV-reposées) | Siemens |
| 5418 | Q62702-B63 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 5419 | Q62702-B63 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 5420 | Q62702-B631 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 5421 | Q62702-B663 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 5422 | Q62702-B664 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 5423 | Q62702-B673 | Diode variable de capacité de silicium (pour le tuner par radio de FM avec radio de voiture d'accord prolongée de tension d'alimentation de rapport de bande de fréquence la haute basse) | Siemens |
| 5424 | Q62702-B683 | Diode variable de capacité de silicium (pour l'accord de la bande de fréquence prolongée dans des tuners de VHF TV/VTR) | Siemens |
| 5425 | Q62702-B695 | Diode variable de capacité de silicium (pour l'accord de la bande de fréquence prolongée dans des tuners de VHF TV/VTR) | Siemens |
| 5426 | Q62702-B70 | Varactor d'accord de silicium (varactor d'accord dans la conception épitaxiale passivée de technologie de MESA) | Siemens |
| 5427 | Q62702-B792 | Diode variable de capacité de silicium (pour résistance de série de rapport élevé de capacité de tuners de VHF Hyperband TV/tr la basse) | Siemens |
| 5428 | Q62702-B802 | Diode d'accord de silicium (gamme de fréquence prolongée jusqu'à 2,8 gigahertz; conception spéciale pour l'usage dans les unités d'intérieur TV-reposées) | Siemens |
| 5429 | Q62702-B824 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 5430 | Q62702-B912 | Diode d'accord de silicium (inductance d'accord de série de diode d'excellent hyperabrupt élevé de linéarités Q basse) | Siemens |
| 5431 | Q62702-B915 | Diode d'accord de silicium (rapport élevé d'accord de capacité de basse inductance de série de diode d'excellent hyperabrupt élevé de linéarités Q) | Siemens |
| 5432 | Q62702-B916 | Diode d'accord de silicium (inductance d'accord de série de diode d'excellent hyperabrupt élevé de linéarités Q basse) | Siemens |
| 5433 | Q62702-B918 | Diode d'accord de silicium (inductance d'accord de série de diode d'excellent hyperabrupt élevé de linéarités Q basse) | Siemens |
| 5434 | Q62702-C1137 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 5435 | Q62702-C1138 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 5436 | Q62702-C1322 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5437 | Q62702-C141 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5438 | Q62702-C142 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5439 | Q62702-C146 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5440 | Q62702-C1474 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5441 | Q62702-C1475 | Transistors de Darlington de silicium de PNP (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5442 | Q62702-C1476 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5443 | Q62702-C1477 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5444 | Q62702-C1478 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5445 | Q62702-C1479 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5446 | Q62702-C1480 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5447 | Q62702-C1481 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5448 | Q62702-C1482 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5449 | Q62702-C1485 | Silicium AF de PNP et transistors de commutation (pour la tension claque élevée d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5450 | Q62702-C149 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5451 | Q62702-C1493 | Transistors de Darlington de silicium de PNP (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5452 | Q62702-C1497 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5453 | Q62702-C150 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5454 | Q62702-C1501 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5455 | Q62702-C1502 | Transistors d'Af De Silicium de PNP | Siemens |
| 5456 | Q62702-C1504 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5457 | Q62702-C1505 | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Siemens |
| 5458 | Q62702-C1506 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5459 | Q62702-C1507 | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 5460 | Q62702-C151 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5461 | Q62702-C1516 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5462 | Q62702-C1517 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5463 | Q62702-C1526 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5464 | Q62702-C1529 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5465 | Q62702-C153 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5466 | Q62702-C1539 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5467 | Q62702-C154 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5468 | Q62702-C155 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5469 | Q62702-C1552 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5470 | Q62702-C1554 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5471 | Q62702-C1555 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5472 | Q62702-C1556 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5473 | Q62702-C1560 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5474 | Q62702-C1567 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5475 | Q62702-C1571 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5476 | Q62702-C1572 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5477 | Q62702-C1585 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5478 | Q62702-C1586 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5479 | Q62702-C1612 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5480 | Q62702-C1613 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 5481 | Q62702-C1614 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 5482 | Q62702-C1632 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5483 | Q62702-C1635 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 5484 | Q62702-C1654 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5485 | Q62702-C1659 | Silicium AF de NPN et transistor de commutation (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 5486 | Q62702-C167 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5487 | Q62702-C168 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5488 | Q62702-C1681 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5489 | Q62702-C1687 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5490 | Q62702-C1688 | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 5491 | Q62702-C1689 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5492 | Q62702-C1690 | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Siemens |
| 5493 | Q62702-C1692 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5494 | Q62702-C1698 | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 5495 | Q62702-C170 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 5496 | Q62702-C1704 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5497 | Q62702-C1712 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5498 | Q62702-C1713 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 5499 | Q62702-C1714 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 5500 | Q62702-C1715 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| | | |
