| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1082361 | SD1080CS-T3 | La tension inverse: 80.00V; Montage en surface 10A DPAK redresseur Schottky à barrière | Won-Top Electronics |
| 1082362 | SD1080CT | BARRIÈRE RECTIFIER(VOLTAGE - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de COURANT - 10.0 ampères) | Panjit International Inc |
| 1082363 | SD1080S | BARRIÈRE RECTIFIER(voltage - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de BÂTI de SURFACE de DPAK de COURANT - 10,0 ampères) | Panjit International Inc |
| 1082364 | SD1080S-T3 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE BÂTI DE SURFACE DE 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082365 | SD1080T | BARRIÈRE RECTIFIER(VOLTAGE - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de COURANT - 10.0 ampères) | Panjit International Inc |
| 1082366 | SD1080YS | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE BÂTI DE SURFACEDE DPAK | Panjit International Inc |
| 1082367 | SD1080YS-T3 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE BÂTI DE SURFACE DE 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082368 | SD1080YT | BARRIÈRE RECTIFIER(VOLTAGE - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de COURANT - 10.0 ampères) | Panjit International Inc |
| 1082369 | SD1100C | Version STANDARD De Puk D'Hockey de DIODES de RÉTABLISSEMENT | International Rectifier |
| 1082370 | SD1100C04C | 400V 1400A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082371 | SD1100C04L | 400V 1170A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082372 | SD1100C08C | 800V 1400A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082373 | SD1100C08L | 800V 1170A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082374 | SD1100C12C | 1200V 1400A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082375 | SD1100C12L | 1200V 1170A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082376 | SD1100C16C | 1600V 1400A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082377 | SD1100C16L | 1600V 1170A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082378 | SD1100C20C | 2000V 1400A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082379 | SD1100C20L | 2000V 1170A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082380 | SD1100C25C | 2500V 1100A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082381 | SD1100C25L | 2500V 910A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082382 | SD1100C30C | 3000V 1100A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082383 | SD1100C30L | 3000V 910A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082384 | SD1100C32C | 3200V 1100A STD. Diode de rétablissement dans un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082385 | SD1100C32L | 3200V 910A STD. Diode de rétablissement dans un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082386 | SD1100CHP | 450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082387 | SD1100DD | 450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082388 | SD1100HD | 450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082389 | SD1100P | Redresseur: Schottky | Taiwan Semiconductor |
| 1082390 | SD1101BD | 400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082391 | SD1101CHP | 400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082392 | SD1101DD | 400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082393 | SD1101HD | 400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082394 | SD1102BD | 250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082395 | SD1102CHP | 250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082396 | SD1102DD | 250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082397 | SD1102HD | 250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 1082398 | SD1106AD | 60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET | Topaz Semiconductor |
| 1082399 | SD1106CHP | 60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET | Topaz Semiconductor |
| 1082400 | SD1106DD | 60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET | Topaz Semiconductor |
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